[发明专利]浊度传感器及含有SDBS待测液体的浊度计算方法在审
申请号: | 202110895701.6 | 申请日: | 2021-08-05 |
公开(公告)号: | CN113484263A | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 张晓明;杨家象 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨海格微电子科技有限公司 |
主分类号: | G01N21/33 | 分类号: | G01N21/33 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 姚璐华 |
地址: | 150078 黑龙江省哈尔滨市迎宾路集*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 浊度 传感器 含有 sdbs 液体 计算方法 | ||
1.一种浊度传感器,其特征在于,所述浊度传感器包括:
相对设置的紫外发射器和紫外探测器;
所述紫外发射器通过出光口出射紫外光,所述紫外探测器通过入光口采集紫外光;
所述出光口与所述入光口之间具有预设宽度的采样通道;
其中,所述采样通道中具有SDBS的待测液体时,所述紫外探测器基于所采集的紫外光,产生与所述SDBS浓度相关的电参数。
2.根据权利要求1所述的浊度传感器,其特征在于,具有封装壳体,所述封装壳体具有相对的第一表面和第二表面;
其中,所述紫外发射器以及所述紫外探测器封装在所述封装壳体内;所述第一表面具有沟槽,所述沟槽作为所述采样通道,所述沟槽相对的两侧壁分别设置有所述出光口以及所述入光口。
3.根据权利要求2所述的浊度传感器,其特征在于,所述封装壳体内具有电路板,所述紫外发射器以及所述紫外探测器均与所述电路板电连接;
所述第二表面具有与所述电路板连接的电源引脚和输出引脚,所述电源引脚用于为所述浊度传感器输入工作电压,所述输出引脚用于输出所述电参数。
4.根据权利要求1所述的浊度传感器,其特征在于,所述紫外发射器为出射220-225nm紫外光的紫外LED;
所述紫外探测器为能够响应220nm-240nm紫外光的紫外光敏二极管。
5.根据权利要求1所述的浊度传感器,其特征在于,所述采样通道的宽度范围是5-8mm。
6.根据权利要求1-5任一项所述的浊度传感器,其特征在于,所述紫外发射器的出光侧为第一凸起结构,所述第一凸起结构表面贴合固定有第一导光柱;所述第一导光柱一侧为与所述第一凸起结构适配的第一凹曲面,相反的另一侧为与所述出光口齐平的平面;
所述紫外探测器的出光侧为第二凸起结构,所述第二凸起结构表面贴合固定有第二导光柱;所述第二导光柱一侧为与所述第二凸起结构适配的第二凹曲面,相反的另一侧为与所述入光口齐平的平面。
7.根据权利要求6所述的浊度传感器,其特征在于,所述第一导光柱为透紫外玻璃导光柱或是透光高聚物导光柱;
所述第二导光柱为透紫外玻璃导光柱或是透光高聚物导光柱。
8.一种含有SDBS待测液体的浊度计算方法,其特征在于,所述浊度计算方法包括:
利用如权利要求1-7任一项所述的浊度传感器获得所述待测液体所对应的电参数;
基于所述电参数与SDBS浓度的对应关系,计算所述待测液体中所述SDBS的浓度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨海格微电子科技有限公司,未经哈尔滨海格微电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110895701.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。