[发明专利]半导体装置

说明书

提供一种半导体装置。设置第一源极/漏极结构于基板上方。设置第二源极/漏极结构于基板上方。隔离结构设置于第一源极/漏极结构以及第二源极/漏极结构之间。第一源极/漏极结构与隔离结构的第一侧壁形成实质上线性的第一界面。第二源极/漏极结构与隔离结构的第二侧壁形成实质上线性的第二界面。第一源极/漏极接触件在多个方向围绕第一源极/漏极结构。第二源极/漏极接触件在多个方向围绕第二源极/漏极结构。隔离结构设置于第一源极/漏极接触件以及第二源极/漏极接触件之间。

技术领域

本发明实施例是有关于半导体技术，且特别是有关于半导体装置及其形成方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)产业经历了指数级的成长。集成电路材料和设计方面的技术进步产生了一代又一代的集成电路，每一代都比上一代具有更小且更复杂的电路。集成电路演进期间，功能密度(亦即，单位芯片面积的互连装置数目)通常会增加而几何尺寸(亦即，即可使用制程生产的最小元件(或线))却减少。此微缩化的过程通常会以增加生产效率与降低相关成本而提供助益。然而，此微缩化也会伴随着更为复杂的设计与将集成电路纳入装置的制程。

举例而言，随着半导体装置持续微缩化，相邻晶体管之间的空间变得越来越小。小间隔可能会导致相邻晶体管之间的外延源极/漏极特征部件相互合并，这会导致相邻晶体管之间的电性短路。电性短路是不良的，因为它可能降低装置性能或甚至导致装置故障。

因此，虽然制造半导体装置的传统方法通常是适当的，但它们在各方面都不令人满意。

发明内容

根据一实施例，半导体装置包括：设置于基板上方的第一源极/漏极结构；设置于基板上方的第二源极/漏极结构；设置于第一源极/漏极结构和第二源极/漏极结构之间的隔离结构，其中第一源极/漏极结构与隔离结构的第一侧壁形成实质上线性的第一界面，且其中第二源极/漏极结构与隔离结构的第二侧壁形成实质上线性的第二界面；在多个方向围绕第一源极/漏极结构的第一源极/漏极接触件；以及在多个方向围绕第二源极/漏极结构的第二源极/漏极接触件，其中隔离结构设置于第一源极/漏极接触件以及第二源极/漏极接触件之间。

根据另一实施例，方法包括：外延成长第一源极/漏极结构以及第二源极/漏极结构于基板上方；形成第一材料层于第一源极/漏极结构以及第二源极/漏极结构上方；在形成第一材料层之后，执行栅极替换制程；在执行栅极替换制程之后，以第二材料层替换第一材料层；蚀刻垂直延伸穿过第二材料层的开口，其中开口形成于第一源极/漏极结构以及第二源极/漏极结构之间；以第三材料层填充开口；且以源极/漏极接触件替换第二材料层。

根据另一实施例，方法包括：提供虚置栅极、第一源极/漏极、以及第二源极/漏极，其中第一源极/漏极以及第二源极/漏极彼此合并；形成蚀刻停止层于第一源极/漏极以及第二源极/漏极上方；形成半导体层于蚀刻停止层上方；在形成半导体层之后，以含金属的栅极替换虚置栅极；在替换虚置栅极之后，蚀刻掉半导体层，其中蚀刻停止层防止第一源极/漏极以及第二源极/漏极被蚀刻掉；在蚀刻掉半导体层以后，形成含碳层于第一源极/漏极以及第二源极/漏极上方；蚀刻延伸穿过含碳层的开口，其中开口分离第一源极/漏极与第二源极/漏极；以介电质层填充开口；移除含碳层以及蚀刻停止层而实质上不移除介电质层与第一源极/漏极以及第二源极/漏极；以及形成源极/漏极接触件于第一源极/漏极以及第二源极/漏极的顶表面以及侧表面上。

附图说明

根据以下的详细说明并配合所附图式做完整公开。应注意的是，根据本产业的一般作业，图示并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸，以做清楚的说明。

图1A是根据本公开的各种态样的FinFET形式的IC装置的透视图。

图1B是根据本公开的各种态样的FinFET形式的IC装置的平面俯视图。

图1C是根据本公开的各种态样的GAA装置形式的IC装置的透视图。