[发明专利]一种表面承载有组合多层膜的基板、X射线探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种表面承载有组合多层膜的基板，其特征在于，所述组合多层膜沉积在所述基板的表面上，所述组合多层膜是指由PbO层和Ga₂O₃层组成的重复单元在一个重复频次内叠层构成的多层膜。

2.根据权利要求1所述的表面承载有组合多层膜的基板，其特征在于，所述重复频次为1-500。

3.根据权利要求2所述的表面承载有组合多层膜的基板，其特征在于，所述重复频次为1-100。

4.根据权利要求2所述的表面承载有组合多层膜的基板，其特征在于，所述基板表面承载组合多层膜是指：（i）依次在所述基板表面沉积PbO层和Ga₂O₃层并在重复频次内叠层；或（ii）依次在所述基板上沉积Ga₂O₃层和PbO层并在重复频次内叠层。

5.根据权利要求1所述的表面承载有组合多层膜的基板，其特征在于，所述组合多层膜采用物理气相沉积法沉积在所述基板的表面上，单个所述PbO层厚度为0.5～5微米，单个所述Ga₂O₃层的厚度为0.5～5微米。

6.一种如权利要求1-5任一项所述的表面承载有组合多层膜的基板的制备方法，其特征在于，在所述基板的表面上交替沉积PbO层和Ga₂O₃层、或交替沉积Ga₂O₃层和PbO层以形成组合多层膜。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述沉积是指物理气相沉积，所述物理气相沉积选自是通过射频溅射和脉冲溅射中的至少一种沉积工艺。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，当在基板上交替沉积PbO层和Ga₂O₃层时，分别将原料PbO陶瓷靶材和Ga₂O₃陶瓷靶材固定在背板上，采用射频磁控溅射双靶交替溅射的方法沉积所述组合多层膜；所述交替溅射是指：先开启PbO陶瓷靶材溅射电源，设置溅射功率为40-100W，待沉积至预定膜层厚度后停止溅射沉积，然后开启Ga₂O₃陶瓷靶材溅射电源，设置溅射功率为40-100W，然后依次进行重复交替溅射沉积，达到预定重复频次后停止沉积；

当在基板上交替沉积Ga₂O₃层和PbO层时，分别将原料PbO陶瓷靶材和Ga₂O₃陶瓷靶材固定在背板上，采用射频磁控溅射双靶交替溅射的方法沉积所述组合多层膜；所述交替溅射是指：先开启Ga₂O₃层陶瓷靶材溅射电源，设置溅射功率为40-100W，待沉积至预定膜层厚度后停止溅射沉积，然后开启PbO层陶瓷靶材溅射电源，设置溅射功率为40-100W，然后依次进行重复交替溅射沉积，达到预定重复频次后停止沉积。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述交替溅射时设置腔体的背景真空度为5.0E-4Pa～8.0E-4Pa，并通入高纯Ar气，调节腔体气压为0.2Pa～2Pa；射频频率为13.56MHz，基板表面与原料靶材表面的距离为5厘米～10厘米。

10.一种X射线探测器，其特征在于，其包括从下至上依次设置的基板、底电极、组合多层膜和顶电极，所述底电极、组合多层膜和顶电极依次沉积在所述基板的一个表面；所述组合多层膜是指由PbO层和Ga₂O₃层组成的重复单元在一个重复频次内叠层构成的多层膜。