[发明专利]一种超宽带YAG激光反射膜及其制备方法有效
申请号: | 202110893045.6 | 申请日: | 2021-08-04 |
公开(公告)号: | CN113589415B | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
发明(设计)人: | 陈莉;李全民;王泽栋;朱敏;吴玉堂 | 申请(专利权)人: | 南京波长光电科技股份有限公司 |
主分类号: | G02B5/08 | 分类号: | G02B5/08;C23C14/30;C23C14/18;C23C14/16;C23C14/10;C23C14/08 |
代理公司: | 南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341 | 代理人: | 李建芳 |
地址: | 211121 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 宽带 yag 激光 反射 及其 制备 方法 | ||
1.一种超宽带YAG激光反射膜,其特征在于:其结构为:Air/Sub/SC aM bL(HL)^m cM/Air;其中,Sub代表基底;m为周期数,m≥1,为1-10的整数;H代表高折射率膜层,高折射率膜层的折射率为1.8-3;L代表低折射率膜层,低折射率膜层的折射率为1-1.5;a、b和c分别代表各膜层的光学厚度系数;M代表中折射率Al2O3膜层,S代表粘接层,C代表金属膜层。
2.如权利要求1所述的超宽带YAG激光反射膜,其特征在于:高折射率膜层所用膜料为TiO2或者Ti3O5;低折射率膜层所用膜料为SiO2。
3.如权利要求1或2所述的超宽带YAG激光反射膜,其特征在于:金属膜层所用的膜料为铜、金或者银。
4.如权利要求1或2所述的超宽带YAG激光反射膜,其特征在于:粘接层所用膜料为镍、铬或者镍铬合金。
5.如权利要求4所述的超宽带YAG激光反射膜,其特征在于:基底所用材料为硅基底或者折射率1-2的玻璃基材。
6.如权利要求1或2所述的超宽带YAG激光反射膜,其结构为:Air/Sub/SC 0.3M 0.7LHLHLHL 0.9M/Air,其中,M代表Al2O3膜层,H代表TiO2膜层,L代表SiO2膜层,C代表金属膜层铜Cu,S代表粘接层镍铬合金。
7.如权利要求1或2所述的超宽带YAG激光反射膜,其结构为:Air/Sub/SC 0.2M 0.6LHLHLHL 0.8M/Air,其中,M代表Al2O3膜层,H代表Ti3O5膜层,L代表SiO2膜层,C代表金属膜层银Ag,S代表粘接层镍Ni层。
8.权利要求1-7任意一项所述的超宽带YAG激光反射膜的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
(1)基底加热:镀膜前对基底在抽真空状态下进行烘烤加热,提高基底温度,其中,在镀制金属膜层时的温度要控制在80℃以内,其余层的烘烤温度为200℃~300℃;
(2)离子束清洗:对基底进行离子束清洗,离子清洗时长为1~15min,离子束电压为200~400V,离子束流为1~8A;
(3)基底正面膜系镀制:根据膜系设计中的膜系结构,在基底正面依次镀制各膜层。
9.如权利要求8所述的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,烘烤前,用无尘布蘸环保擦拭液和丙酮体积比为(6-8):1的混合液擦拭基底,然后采用超声波清洗的方式清洗基底。
10.如权利要求8或9所述的制备方法,其特征在于:步骤(3)中,
SiO2膜层镀制:将SiO2膜料放到坩埚或者钼皮舟中,采用电子束蒸发或者电阻加热的方法进行镀制,其本底真空度高于1.5×10-3Pa,沉积速率为0.1-5nm/s;
Al2O3膜层镀制:将Al2O3膜料放到坩埚或者钼皮舟中,采用电子束蒸发或者电阻加热的方法进行镀制,其本底真空度高于1.5×10-3Pa,沉积速率为0.05-1nm/s;
TiO2膜层镀制:将TiO2膜料放到坩埚或者钼皮舟中,采用电子束蒸发或者电阻加热的方法进行镀制,其本底真空度高于1.5×10-3Pa,沉积速率为0.05-1nm/s;
Ti3O5膜层镀制:将Ti3O5膜料放到坩埚或者钼皮舟中,采用电子束蒸发或者电阻加热的方法进行镀制,其本底真空度高于1.5×10-3Pa,沉积速率为0.05-1nm/s;
Cu膜层镀制:将Cu膜料放到坩埚或者钼皮舟中,采用电子束蒸发或者电阻加热的方法进行镀制,其本底真空度高于1.5×10-3Pa,沉积速率为0.1-10nm/s;
Ag膜层镀制:将Ag膜料放到坩埚或者钼皮舟中,采用电子束蒸发或者电阻加热的方法进行镀制,其本底真空度高于1.5×10-3Pa,沉积速率为0.1-10nm/s;
Ni镍膜层镀制:将镍膜料放到坩埚或者钼皮舟中,采用电子束蒸发或者电阻加热的方法进行镀制,其本底真空度高于1.0×10-2Pa,沉积速率为0.05-1nm/s;
Ni-Cr镍铬合金膜层镀制:将镍铬合金膜料放到坩埚或者钼皮舟中,采用电子束蒸发或者电阻加热的方法进行镀制,其本底真空度高于1.0×10-2Pa,沉积速率为0.05-1nm/s。
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