[发明专利]一种超宽带YAG激光反射膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110893045.6 申请日: 2021-08-04
公开(公告)号: CN113589415B 公开(公告)日: 2023-03-21
发明(设计)人: 陈莉;李全民;王泽栋;朱敏;吴玉堂 申请(专利权)人: 南京波长光电科技股份有限公司
主分类号: G02B5/08 分类号: G02B5/08;C23C14/30;C23C14/18;C23C14/16;C23C14/10;C23C14/08
代理公司: 南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341 代理人: 李建芳
地址: 211121 江苏省南*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 宽带 yag 激光 反射 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种超宽带YAG激光反射膜,其特征在于:其结构为:Air/Sub/SC aM bL(HL)^m cM/Air;其中,Sub代表基底;m为周期数,m≥1,为1-10的整数;H代表高折射率膜层,高折射率膜层的折射率为1.8-3;L代表低折射率膜层,低折射率膜层的折射率为1-1.5;a、b和c分别代表各膜层的光学厚度系数;M代表中折射率Al2O3膜层,S代表粘接层,C代表金属膜层。

2.如权利要求1所述的超宽带YAG激光反射膜,其特征在于:高折射率膜层所用膜料为TiO2或者Ti3O5;低折射率膜层所用膜料为SiO2

3.如权利要求1或2所述的超宽带YAG激光反射膜,其特征在于:金属膜层所用的膜料为铜、金或者银。

4.如权利要求1或2所述的超宽带YAG激光反射膜,其特征在于:粘接层所用膜料为镍、铬或者镍铬合金。

5.如权利要求4所述的超宽带YAG激光反射膜,其特征在于:基底所用材料为硅基底或者折射率1-2的玻璃基材。

6.如权利要求1或2所述的超宽带YAG激光反射膜,其结构为:Air/Sub/SC 0.3M 0.7LHLHLHL 0.9M/Air,其中,M代表Al2O3膜层,H代表TiO2膜层,L代表SiO2膜层,C代表金属膜层铜Cu,S代表粘接层镍铬合金。

7.如权利要求1或2所述的超宽带YAG激光反射膜,其结构为:Air/Sub/SC 0.2M 0.6LHLHLHL 0.8M/Air,其中,M代表Al2O3膜层,H代表Ti3O5膜层,L代表SiO2膜层,C代表金属膜层银Ag,S代表粘接层镍Ni层。

8.权利要求1-7任意一项所述的超宽带YAG激光反射膜的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:

(1)基底加热:镀膜前对基底在抽真空状态下进行烘烤加热,提高基底温度,其中,在镀制金属膜层时的温度要控制在80℃以内,其余层的烘烤温度为200℃~300℃;

(2)离子束清洗:对基底进行离子束清洗,离子清洗时长为1~15min,离子束电压为200~400V,离子束流为1~8A;

(3)基底正面膜系镀制:根据膜系设计中的膜系结构,在基底正面依次镀制各膜层。

9.如权利要求8所述的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,烘烤前,用无尘布蘸环保擦拭液和丙酮体积比为(6-8):1的混合液擦拭基底,然后采用超声波清洗的方式清洗基底。

10.如权利要求8或9所述的制备方法,其特征在于:步骤(3)中,

SiO2膜层镀制:将SiO2膜料放到坩埚或者钼皮舟中,采用电子束蒸发或者电阻加热的方法进行镀制,其本底真空度高于1.5×10-3Pa,沉积速率为0.1-5nm/s;

Al2O3膜层镀制:将Al2O3膜料放到坩埚或者钼皮舟中,采用电子束蒸发或者电阻加热的方法进行镀制,其本底真空度高于1.5×10-3Pa,沉积速率为0.05-1nm/s;

TiO2膜层镀制:将TiO2膜料放到坩埚或者钼皮舟中,采用电子束蒸发或者电阻加热的方法进行镀制,其本底真空度高于1.5×10-3Pa,沉积速率为0.05-1nm/s;

Ti3O5膜层镀制:将Ti3O5膜料放到坩埚或者钼皮舟中,采用电子束蒸发或者电阻加热的方法进行镀制,其本底真空度高于1.5×10-3Pa,沉积速率为0.05-1nm/s;

Cu膜层镀制:将Cu膜料放到坩埚或者钼皮舟中,采用电子束蒸发或者电阻加热的方法进行镀制,其本底真空度高于1.5×10-3Pa,沉积速率为0.1-10nm/s;

Ag膜层镀制:将Ag膜料放到坩埚或者钼皮舟中,采用电子束蒸发或者电阻加热的方法进行镀制,其本底真空度高于1.5×10-3Pa,沉积速率为0.1-10nm/s;

Ni镍膜层镀制:将镍膜料放到坩埚或者钼皮舟中,采用电子束蒸发或者电阻加热的方法进行镀制,其本底真空度高于1.0×10-2Pa,沉积速率为0.05-1nm/s;

Ni-Cr镍铬合金膜层镀制:将镍铬合金膜料放到坩埚或者钼皮舟中,采用电子束蒸发或者电阻加热的方法进行镀制,其本底真空度高于1.0×10-2Pa,沉积速率为0.05-1nm/s。

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