[发明专利]一种太阳能电池的光注入钝化方法在审
申请号: | 202110892826.3 | 申请日: | 2021-08-04 |
公开(公告)号: | CN113644162A | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
发明(设计)人: | 刘娟;乐雄英;孔金辉 | 申请(专利权)人: | 江苏润阳悦达光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 马晓敏 |
地址: | 224005 江苏省盐*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 注入 钝化 方法 | ||
本发明公开一种太阳能电池的光注入钝化方法,对金属化烧结后的太阳能电池进行光注入并辅以加热以实现钝化,包括如下步骤:(1)在常压下,对太阳能电池进行光注入,光注入的辐射强度为10‑25suns,光注入时间为100‑300秒;(2)在对太阳能电池进行光注入的同时辅以加热以实现钝化;加热过程包括:加热阶段、降温阶段和保温阶段;加热阶段是:将太阳能电池加热至表面温度为第一温度;降温阶段是:将太阳能电池的表面温度从第一温度降至第二温度;保温阶段是:将太阳能电池在第二温度下进行保温;第一温度为300‑650℃;第二温度为200‑250℃。本发明的钝化方法,能够解决电注入方法中存在的产量低,均匀性差,容易出现效率提升不稳定的问题,本发明的方法实施过程简单。
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种太阳能电池的光注入钝化方法,尤其涉及一种P型太阳能电池的光注入钝化方法。
背景技术
随着太阳能电池技术的快速发展,高效电池的开发越来越受重视,在目前的光伏市场中,成功商业化的太阳电池主要有:晶体硅太阳电池、砷化镓太阳电池、碲化镉太阳电池、薄膜非晶硅太阳电池以及铜铟硒太阳电池。而晶体硅太阳电池因为其相对较低的成本,高的转换效率和较好的稳定性等优势,占据着太阳能光伏市场80%以上的份额,而这一份额会在接下来相当长的一段时间内继续保持,而perc电池凭借好的钝化效果,较低的成本以及较大的效率提升空间被广泛应用。
太阳能电池的隧穿氧化层和掺杂层共同形成钝化接触结构,该结构为硅片背面提供了良好的表面钝化。但现有技术中,通常采用电注入的方式实现太阳能电池的H钝化,即将太阳能电池片置于电注入设备后在各个工位通以电流以达到电注入钝化效果。但是,在研究中发现,太阳能电池在采用电注入钝化过程中,产量低,均匀性差,且容易出现效率提升不稳定的问题。
机理上来说,Perc工艺后载流子传输距离加长,双面钝化后表面复合速率低,光致衰减引起体寿命衰减占比加大,缺少背部铝吸杂,金属杂志富集形成复合中心衰减大。
发明内容
太阳能电池的隧穿氧化层和掺杂层共同形成钝化接触结构,该结构为硅片背面提供了良好的表面钝化。现有技术中,通常采用电注入的方式实现太阳能电池的H钝化,但是,在研究中发现,太阳能电池在采用电注入钝化过程中,产量低,均匀性差,且容易出现效率提升不稳定的问题。
针对上述电注入钝化存在的产量低,均匀性较差,且容易出现效率提升不稳定的问题,本发明提供了一种太阳能电池的光注入钝化方法,本发明的方法能够进一步解决电注入方法中存在的产量低,均匀性差,容易出现效率提升不稳定的问题。
本发明是通过如下技术方案实现的:
一种太阳能电池的光注入钝化方法,其特征在于,对金属化烧结后的太阳能电池进行光注入并辅以加热以实现钝化,包括如下步骤:
(1)在常压下,对所述太阳能电池进行光注入,且光注入的辐射强度为10-25suns,光注入的时间为100-300秒;
(2)在对所述太阳能电池进行光注入的同时辅以加热以实现钝化;所述的加热过程包括:加热阶段、降温阶段和保温阶段;所述的加热阶段是:将所述太阳能电池加热至表面温度为第一温度;所述的降温阶段是:将所述太阳能电池的表面温度从所述第一温度降至第二温度;所述的保温阶段是:将所述太阳能电池在所述第二温度下进行保温;所述的第一温度为300-650℃;所述的第二温度为200-250℃。
具体的,金属化后的太阳能电池具体是指已经制作了正极和负极的太阳能电池。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏润阳悦达光伏科技有限公司,未经江苏润阳悦达光伏科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110892826.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的