[发明专利]孔隙发育特征刻画方法、装置、电子设备及存储介质在审
申请号: | 202110887557.1 | 申请日: | 2021-08-03 |
公开(公告)号: | CN113670792A | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 张吉振;李贤庆;唐友军;李美俊;陈中红;何大祥 | 申请(专利权)人: | 长江大学 |
主分类号: | G01N15/08 | 分类号: | G01N15/08 |
代理公司: | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人: | 李平丽 |
地址: | 430100 湖北省*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 孔隙 发育 特征 刻画 方法 装置 电子设备 存储 介质 | ||
1.一种孔隙发育特征刻画方法,其特征在于,包括:
构建页岩储层的岩石物理模型,所述岩石物理模型包括从下至上依次设置的层理裂隙层、有机质层、粘土矿物层和脆性矿物层;
随机获取至少三个页岩样品,并根据所述至少三个页岩样品确定所述有机质层的第一微观孔隙体积、所述粘土矿物层的第二微观孔隙体积以及所述脆性矿物层的第三微观孔隙体积;
基于所述第一微观孔隙体积确定所述有机质层的第一孔隙度;
基于所述第二微观孔隙体积确定所述粘土矿物层的第二孔隙度;
基于所述第三微观孔隙体积确定所述脆性矿物层的第三孔隙度。
2.根据权利要求1所述的孔隙发育特征刻画方法,其特征在于,所述根据所述至少三个页岩样品确定所述有机质层的第一微观孔隙体积、所述粘土矿物层的第二微观孔隙体积以及所述脆性矿物层的第三微观孔隙体积包括:
根据所述至少三个页岩样品分别获得所述有机质层的至少三个第一质量百分含量、所述粘土矿物层的至少三个第二质量百分含量以及所述脆性矿物层的至少三个第三百分含量;
根据所述至少三个页岩样品获得至少三个样品总孔隙度;
根据所述页岩储层的密度、所述至少三个样品总孔隙度、所述层理裂隙层的微裂缝孔隙度、所述至少三个第一质量百分含量、所述至少三个第二质量百分含量以及所述至少三个第三百分含量确定所述第一微观孔隙体积、所述第二微观孔隙体积以及所述第三微观孔隙体积。
3.根据权利要求2所述的孔隙发育特征刻画方法,其特征在于,所述至少三个页岩样品中的每一个页岩样品均包括第一子页岩样品和第二子页岩样品;所述根据所述至少三个页岩样品分别获得所述有机质层的至少三个第一质量百分含量、所述粘土矿物层的至少三个第二质量百分含量以及所述脆性矿物层的至少三个第三百分含量包括:
根据所述第一子页岩样品获得所述第二质量百分含量和所述第三质量百分含量;
根据所述第二子页岩样品获得所述第一质量百分含量。
4.根据权利要求3所述的孔隙发育特征刻画方法,其特征在于,所述第一子页岩样品包括多个第一页岩颗粒,所述第一页岩颗粒的粒径为200目。
5.根据权利要求3所述的孔隙发育特征刻画方法,其特征在于,所述第二子页岩样品包括多个第二页岩颗粒,所述第二页岩颗粒的粒径为0.05mm-0.2mm。
6.根据权利要求2所述的孔隙发育特征刻画方法,其特征在于,所述第一孔隙度为:
所述第二孔隙度为:
所述第三孔隙度为:
式中,ρ为页岩储层的密度;ATOC为第一质量百分含量;AClay为第二质量百分含量;ABri为第三质量百分含量;VTOC为第一微观孔隙体积;VClay为第二微观孔隙体积;ABri为第三微观孔隙体积。
7.根据权利要求1所述的孔隙发育特征刻画方法,其特征在于,在所述基于所述第三微观孔隙体积确定所述脆性矿物层的第三孔隙度之后还包括:
获取验证样品,并根据所述验证样品确定所述第一孔隙度、所述第二孔隙度和所述第三孔隙度;
根据所述第一孔隙度、所述第二孔隙度和所述第三孔隙度确定所述验证样品的理论总孔隙度;
获取所述验证样品的真实总孔隙度;
根据所述理论总孔隙度和所述真实总孔隙度对所述第一孔隙度、所述第二孔隙度和所述第三孔隙度的准确性进行评估。
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