[发明专利]半导体的制造方法

权利要求书

1.一种半导体的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：

在一基板上方的一光阻剂层中形成一图案，其中该图案包括穿过该光阻剂层的多个沟槽；

在该光阻剂层上执行一抗硬化操作，以使一硬化层形成在该光阻剂层的一顶表面上及所述多个沟槽的多个侧壁上；及

在执行该抗硬化操作之后，执行一离子植入操作，以使用该图案作为一植入遮罩在该基板中形成一或多个隔离井。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该一或多个隔离井包括在一像素阵列中；及

其中该一或多个隔离井在该像素阵列中的多个相邻像素感测器之间提供光隔离。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在该光阻剂层中形成该图案的步骤包含以下步骤：

形成该图案，使得所述多个沟槽的一高度与所述多个沟槽的一宽度之间的一深宽比等于或小于8。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，执行该抗硬化操作的步骤包含以下步骤：

执行该抗硬化操作30秒至120秒的一范围内的一持续时间。

5.一种半导体的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：

穿过一基板上方的一光阻剂层形成多个沟槽，在该光阻剂层的一顶表面上及所述多个沟槽的多个侧壁上使用一全氟化合物执行一表面处理操作，其中该全氟化合物与该光阻剂层反应以在该光阻剂层的该顶表面上及所述多个沟槽的多个侧壁上形成一硬化层，且其中相对于该光阻剂层的一碳密度，该硬化层的一碳密度更大；及

在执行该表面处理操作之后，执行一离子植入操作，以使用该光阻剂层及所述多个沟槽作为一植入遮罩在该基板中形成多个隔离井。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，使用该全氟化合物执行该表面处理操作的步骤包含以下步骤：

通过一电浆增强化学气相沉积操作将该全氟化合物沉积至该光阻剂层的该顶表面上及所述多个沟槽的所述多个侧壁上。

7.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述多个隔离井围绕包括在一像素阵列中的多个像素感测器。

8.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，该全氟化合物局部且部分地与该光阻剂层交联以形成该硬化层。

9.一种半导体的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：

穿过一基板上方的一光阻剂层形成多个沟槽，其中多个沟槽的一高度与多个沟槽的一宽度之间的一深宽比等于或小于8；

在形成所述多个沟槽之后，将所述多个沟槽的该深宽比提高至等于或大于10；

在提高该深宽比且使用该光阻剂层之后，执行一离子植入操作以基于所述多个沟槽在该基板中形成多个隔离井；

在该基板中及所述多个隔离井上方形成一隔离结构；

在所述多个隔离井之间及该隔离结构之间形成包括在一像素阵列中的多个像素感测器的多个光电二极管；

在所述多个光电二极管上方形成多个滤色区；及

在所述多个滤色区上方形成一微透镜层。

10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，提高所述多个沟槽的该深宽比的步骤包含以下步骤：

在所述多个沟槽的多个侧壁上形成一碳基外壳。