[发明专利]HMB的表项管理方法及固态硬盘的控制系统在审
申请号: | 202110880087.6 | 申请日: | 2021-08-02 |
公开(公告)号: | CN113590506A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 陈正亮;傅凯;王琛銮;蔡全;骆小敏 | 申请(专利权)人: | 联芸科技(杭州)有限公司 |
主分类号: | G06F12/06 | 分类号: | G06F12/06 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;张靖琳 |
地址: | 310051 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | hmb 管理 方法 固态 硬盘 控制系统 | ||
公开了一种HMB的表项管理方法,包括:获取主机操作指令中的逻辑地址;根据所述逻辑地址访问一级映射表并获取二级索引地址;根据所述二级索引地址访问HMB获取物理地址;根据所述物理地址对固态硬盘的存储器进行相应数据的操作。本申请提供的HMB的表项管理方法,采用一级映射或二级映射直接访问相应数据的物理地址在HMB当中的HMB地址,从而进一步减小访问HMB所造成的时间开销。
技术领域
本发明涉及SSD映射表管理技术领域,特别涉及一种HMB的表项管理方法及固态硬盘的控制系统。
背景技术
主机内存缓冲区(Host Memory Buffer,HMB)功能允许SSD(Solid State Drive,固态硬盘)主控芯片像使用SSD上的DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器)一样使用主机DRAM。即主机在其主存当中划分出一片内存(该内存在物理地址上可以不连续)给SSD使用。
目前主流的SSD一般有两种设计,一种是带DRAM的,DRAM可用于缓存数据和映射表;另一种是不带DRAM的(即DRAM-Less方案),其映射表采用二级映射,一级映射和少量二级映射存储于SRAM(Static Random-Access Memory,静态随机存取存储器)当中,二级映射数据存储于NAND Flash当中。对于DRAM-Less方案而言,由于其映射表绝大部分存储于NANDFlash当中,在其执行随机读取时,需要两次访问Flash,第一次是获取映射表,第二次才是真正读取用户数据。如果映射数据存储于NAND Flash当中,那么在读取映射数据的时候要花费较多的时间,从而降低了SSD的读性能。
发明内容
鉴于上述问题,本发明的目的在于提供一种HMB的表项管理方法及固态硬盘的控制系统,采用一级映射或二级映射直接访问相应数据的物理地址在HMB当中的HMB地址,从而进一步减小访问HMB所造成的时间开销。
根据本发明的一方面,提供一种HMB的表项管理方法,包括:获取主机操作指令中的逻辑地址;根据所述逻辑地址访问一级映射表并获取二级索引地址;根据所述二级索引地址访问主机HMB获取物理地址;根据所述物理地址对固态硬盘的存储器进行相应数据的操作。
可选地,根据所述逻辑地址访问一级映射表并获取二级索引地址包括:根据所述逻辑地址访问所述固态硬盘的SRAM芯片中所述一级映射表;查询所述一级映射表,获得相应数据的物理地址在所述HMB的二级索引地址。
可选地,根据所述逻辑地址访问一级映射表并获取二级索引地址包括:对所述逻辑地址进行哈希函数处理,以获得一级索引地址;根据所述一级索引地址访问所述主机HMB中的所述一级映射表并获取所述二级索引地址。
可选地,根据所述二级索引地址访问HMB获取物理地址包括:根据所述二级索引地址访问所述主机HMB中的二级映射表,查询所述二级映射表获取物理地址。
根据本发明的另一方面,提供一种固态硬盘的控制系统,包括:主机接口,连接至主机以接收操作指令,所述操作指令的元信息包括用户数据的逻辑地址;控制器,连接至存储器,基于用户数据的物理地址进行数据操作;处理器,与所述主机接口、所述控制器相连接,其中,在主机访问所述固态硬盘时,所述处理器获得用户数据的逻辑地址,根据逻辑地址查找一级映射表,以获得二级索引地址,以及根据所述二级索引地址访问HMB获得用户数据的物理地址。
可选地,所述处理器对所述逻辑地址进行哈希函数处理以获得一级索引地址,并根据所述一级索引地址查找一级映射表。
可选地,所述处理器根据二级索引地址查找二级映射表获得用户数据的物理地址。
可选地,还包括:SRAM芯片,所述SRAM芯片中存储有第一映射表。
可选地,所述SRAM芯片包括存储模块和链接模块,所述存储模块用于存储一级映射表,所述存储模块通过所述链接模块与主机建立连接。
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