[发明专利]一种半导体溅射环防护件及其加工方法

权利要求书

1.一种半导体溅射环防护件的加工方法，其特征在于，所述加工方法包括以下步骤：

(1)将坯料进行冲压成型，得到带有凹槽的圆柱形结构件，所述带有凹槽的圆柱形结构件包括圆筒形侧壁和底面；

(2)将步骤(1)得到的圆柱形结构件的凹槽进行铣削，然后在底面上铣削出圆孔，所述铣削后底面圆孔的直径是贯穿结构件外圆直径的25％～45％，形成贯穿结构件；

(3)将步骤(2)得到的贯穿结构件的外表面进行滚花，所述贯穿结构件固定在夹具上后对外表面进行滚花，所述贯穿结构件套设在夹具上，其内表面与夹具的表面直接接触，并采用螺丝穿过贯穿结构件底面的圆孔，与夹具上相应位置设置的螺纹孔螺纹连接，将贯穿结构件固定；所述滚花时在贯穿结构件的侧壁和底面的外表面上形成花纹，得到半导体溅射环防护件。

2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，步骤(1)所述坯料的材质包括钽。

3.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，步骤(1)所述坯料的重量是最终得到的溅射环防护件重量的1.2～1.6倍。

4.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，步骤(1)所述坯料在冲压设备中进行冲压成型。

5.根据权利要求4所述的加工方法，其特征在于，所述冲压设备包括模具和冲压头，所述模具的形状和尺寸与溅射环防护件产品的外表面形状和尺寸相同。

6.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述冲压成型时施加的压力为600～800kN。

7.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述圆筒形侧壁和底面的厚度独立地为1.5～2.5mm。

8.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，步骤(2)所述铣削采用机床加工刀具进行。

9.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，步骤(2)所述铣削后得到的贯穿结构件的壁厚为1～1.6mm。

10.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，步骤(2)所述铣削后得到的贯穿结构件的高度为19～21mm。

11.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，步骤(2)所述铣削的圆孔位于圆形底面的中心位置。

12.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，步骤(3)所述滚花形成的花纹形状为网状型。

13.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，步骤(3)所述滚花的花纹密度为16～80TPI。

14.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，步骤(3)所述滚花的花纹深度为0.1～0.5mm。

15.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，步骤(3)所述半导体溅射环防护件的侧壁和底面连接处为圆弧连接。

16.根据权利要求15所述的加工方法，其特征在于，所述圆弧连接的弧形为R1～R4。