[发明专利]一种磁通门磁饱和保护电路及磁饱和检测方法在审

专利信息
申请号: 202110873277.5 申请日: 2021-07-30
公开(公告)号: CN113655417A 公开(公告)日: 2021-11-16
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 深圳南云微电子有限公司
主分类号: G01R33/12 分类号: G01R33/12;H02H3/32
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518172 广东省深圳市龙岗区龙城*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 磁通门磁 饱和 保护 电路 检测 方法
【说明书】:

发明涉及磁通门设计领域,特别涉及一种磁通门磁饱和保护电路及磁饱和检测方法,磁通门磁饱和保护电路,包括:桥式震荡电路、磁环、频率采样电路以及信号处理电路。当磁通门发生磁饱和现象时,体现出来的特征为驱动频率的突然增加,通过频率采样电路,采样系统的震荡频率,信号处理电路判断出高频状态下系统处于磁饱和状态,并输出保护信号,从而有效解决当下磁通门磁饱和工作异常的问题。

技术领域

本发明涉及磁通门设计领域,特别涉及一种磁通门磁饱和保护电路及磁饱和检测方法。

背景技术

请参考图1,现有的B型漏电保护器主要包括磁通门电流检测电路(以下简称为磁通门)、阈值判断电路以及电磁铁。其中,磁通门为最核心的部分,其用于检测输入的被测电流(即漏电流),磁通门的输出电压可准确地还原被测电流的波形;阈值判断电路用于检侧由磁通门输出的被测电流的幅值,当被测电流超过标准的规定值时,则会控制电磁铁工作,进而使得漏电保护器切断供电回路,防止漏电危险事件发生。

现有的磁通门包括磁环、桥式振荡电路(半桥或全桥)、采样电阻、采样电路以及滤波电路,其中,桥式振荡电路由开关管Q1、开关管Q3和检测线圈组成。当桥式振荡电路工作时,其工作在峰值电流控制模式(检测桥臂电流,当桥臂电流达到阈值时切换桥臂),当采样电阻上的电压达到一定阈值时,控制桥式振荡电路中的一边的桥臂关断另一边桥臂导通(即:开关管Q1关断时开关管Q3导通,开关管Q1导通时开关管Q3关断)。

正常情况下,磁环处于非磁饱和状态下,检测线圈的电感较大,检测线圈的励磁电流的震荡频率低(也即开关管Q1或开关管Q3的驱动信号的频率较低),磁通门输出正常;当磁环磁饱和后,检测线圈的电感迅速减小,检测线圈的励磁电流的震荡频率高,此时,磁通门的输出会发生异常。

为了更好地理解磁通门磁饱和现象与励磁频率的关系,以下对磁通门磁饱和现象进行具体说明:

当被测电流较大时,检测线圈产生的磁通和检测线圈的励磁电流分别如图2(a)、2(b)所示。理想情况下,我们希望饱和区域在任何情况下都是正负对称的,并且饱和区域的区间尽量小。但由于是峰值电流控制,峰值电流不变,但饱和点往一边偏了,所以被测电流大时饱和区域的正负不对称程度增加了,对检测精度有影响。

假如继续增大被测电流,让励磁电流的平台(给磁芯施加恒定励磁电压时,磁芯非饱和电流斜率较低,饱和后斜率较高,在波形非饱和电流呈现出平台的状态)超过IPEAK,则会导致磁通门工作异常。正常的磁通门工作过程,是饱和与非饱和交替出现的。当被测电流经匝比等效后的电流大于IPEAK时,其工作状态如3所示,被测电流产生一个负向的磁通,线圈正向励磁时要达到BRE-磁环才会退出饱和状态,但未达到BRE-就达到了正向的峰值电流,因此正向励磁时检测线圈的感量为L0,很显然反向励磁时检测线圈的感量也是L0。两个方向励磁都时L0,这时励磁频率会迅速增大到十倍以上,并且失去了检测功能,输出电压会随着被测电流增大而逐渐归零,这就是磁通门磁饱和现象。

然而,现有市场上的电流传感器产品中的漏电保护器并无磁饱和保护功能,对电力应用构成潜在的危险,即磁环出现磁饱和时,含义为被测电流(漏电流)已经大到极端状态,但是漏电保护器却失灵。本发明就是解决磁饱和问题的技术方案。

发明内容

有鉴如此,本发明所解决的技术问题是提供一种磁通门磁饱和保护电路,在达到的有益效果相同的情况下,可以让磁通门电路在磁饱和时不影响后级输出。

发明构思:通过以上分析磁饱和现象识别在于震荡频率的增加到正常频率的10倍以上,因此可通过采集系统的震荡频率,在高频时给出磁饱和保护信号。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下:

一种磁通门磁饱和保护电路,用于与漏电保护器连接,其包括:桥式震荡电路、磁环、频率采样电路以及信号处理电路;

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