[发明专利]一种大电容预充电路、系统及其控制方法

权利要求书

1.一种大电容预充电路，其特征在于，包括至少一个一级预充电路(1)；

所述一级预充电路(1)包括第一晶体管、第二晶体管和第一限流电阻；

所述第一晶体管的基极与控制单元的第一控制端口(2)连接，所述第一晶体管的第一端与所述第二晶体管的基极连接，所述第一晶体管的第二端接地；

所述第二晶体管的第一端与所述第一限流电路的第一端连接，所述第二晶体管的第二端与电源(3)连接；

所述第一限流电阻的第二端与电容集(4)连接，以使所述电源(3)通过所述一级预充电路(1)对所述电容集(4)进行预充。

2.根据权利要求1所述的大电容预充电路，其特征在于，所述一级预充电路(1)还包括第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻；

所述第一电阻的第一端与所述第一控制端口(2)连接，所述第一电阻的第二端与与所述第一晶体管的基极连接；

所述第二电阻的第一端与所述第一电阻的第二端连接，所述第二电阻的第二端与所述第一晶体管的第二端连接；

所述第三电阻的第一端与所述第一晶体管的第一端连接，所述第三电阻的第二端与所述第二晶体管的基极连接；

所述第四电阻的第一端与所述第三电阻的第二端连接，所述第四电阻的第二端与所述第二晶体管的第二端连接。

3.根据权利要求1所述的大电容预充电路，其特征在于，包括并联的第一一级预充电路(101)和第二一级预充电路(102)；

所述第一一级预充电路(101)的电路结构与所述第二一级预充电路(102)的电路结构相同；

所述第一一级预充电路(101)的第一晶体管的基极与所述第一控制端口(2)连接；

所述第二一级预充电路(102)的第一晶体管的基极与所述控制单元的第二控制端口(6)连接；

所述第一一级预充电路(101)的第一限流电阻的阻值大于所述第二一级预充电路(102)的第一限流电阻的阻值，以使当所述大电容预充电路中的电流大于预设电流时，通过所述第一控制端口(2)控制所述第一一级预充电路(101)工作；否则，通过所述第二控制端口(6)控制所述第二一级预充电路(102)工作。

4.根据权利要求1所述的大电容预充电路，其特征在于，还包括二级预充电路(5)；

靠近所述第二晶体管的第二端的线路上设有第一检测点；所述电容集上设有第二检测点；

所述二级预充电路(5)包括第一稳压管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第二限流电阻；

所述第一稳压管的阴极与所述第二晶体管的第一端连接，所述第一稳压管的阳极与所述第三晶体管的第一端连接；

所述第三晶体管的第二端与所述第四晶体管的基极连接，所述第三晶体管的基极与所述电容集(4)连接；

所述第四晶体管的第一端与所述第五晶体管的基极连接，所述第四晶体管的第二端接地；

所述第五晶体管的第一端与所述第二晶体管的第一端连接，所述第五晶体管的第二端通过所述第二限流电阻与所述电容集(4)连接；

所述第六晶体管的基极与所述控制单元的第三控制端口连接，所述第六晶体管的第一端与所述第四晶体管的基极连接，所述第六晶体管的第二端与接地；

所述第二限流电阻的阻值小于所述第一限流电阻的阻值，以使当所述第一检测点的电压与所述第二检测点的电压之差小于第一预设阈值时，通过所述第一控制端口(2)控制所述一级预充电路(1)工作，并通过所述第三控制端口控制所述二级预充电路(5)工作。

5.根据权利要求4所述的大电容预充电路，其特征在于，包括依次串联的第一MOS管、第二MOS管和电感；

所述第一MOS管与所述电源(3)连接；

所述电感与所述电容集(4)连接；

所述第四晶体管的第一端与所述第一MOS管的栅极连接，以使当所述二级预充电路(5)工作时，所述第四晶体管能够提供截止所述第一MOS管的电压。