[发明专利]一种环境友好型的纤维素基自支撑忆阻器及其制备方法

权利要求书

1.纤维素基自支撑忆阻器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将含有纤维素的原料加入到预冷的含有NaOH的尿素水溶液中，溶解后得到纤维素溶液；所述含有纤维素的原料为棉花；将所述纤维素溶液流延刮膜，并在凝固浴中凝固成形，水洗后烘干，得到再生纤维素膜；

（2）在步骤（1）得到的纤维素膜表面通过电子束蒸镀技术制备底电极层；在该底电极层上旋涂纤维素溶液，烘干成膜，得到功能层；在该功能层表面通过掩模版和电子束蒸镀技术制备顶电极，即得到纤维素基自支撑忆阻器；

该忆阻器自下而上包括柔性衬底、底电极层、功能层和顶电极；所述柔性衬底和功能层均为再生纤维素膜；

所述顶电极用于被施加电压氧化为金属离子后通过功能层的再生纤维素基质迁移至底电极层并被还原，使得功能层的再生纤维素基质中形成金属导电丝，从而使器件从绝缘态切换到导电态以实现信息的存储；所述功能层的再生纤维素含有的C-O-C键和C-O-H键能促进金属离子的迁移。

2.如权利要求1所述的纤维素基自支撑忆阻器的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述旋涂的转速为900 rpm-1500 rpm。

3.如权利要求1所述的纤维素基自支撑忆阻器的制备方法，其特征在于，所述功能层的厚度为1 μm-10 μm。

4.如权利要求1所述的纤维素基自支撑忆阻器的制备方法，其特征在于，所述顶电极的厚度为100 nm-200 nm。

5.如权利要求1所述的纤维素基自支撑忆阻器的制备方法，其特征在于，所述底电极层为惰性电极层。

6.如权利要求5所述的纤维素基自支撑忆阻器的制备方法，其特征在于，所述惰性电极层为金、钛、铂和铬其中一种金属形成的单层电极，或者至少两种金属分别形成的电极叠加得到的多层电极。

7.如权利要求1所述的纤维素基自支撑忆阻器的制备方法，其特征在于，所述顶电极为活性电极。

8.如权利要求7所述的纤维素基自支撑忆阻器的制备方法，其特征在于，所述活性电极为银、铜或镁形成的电极。