[发明专利]超宽工作范围的铁磁共振矢量磁场传感器及应用有效
| 申请号: | 202110870954.8 | 申请日: | 2021-07-30 |
| 公开(公告)号: | CN113740784B | 公开(公告)日: | 2022-05-20 |
| 发明(设计)人: | 刘明;王志广;胡忠强;温涛;邓致远 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
| 主分类号: | G01R33/02 | 分类号: | G01R33/02 |
| 代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 贺小停 |
| 地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 工作范围 磁共振 矢量 磁场 传感器 应用 | ||
1.超宽工作范围的铁磁共振矢量磁场传感器,其特征在于,包括共面波导CPW和外延钇铁石榴石YIG薄膜器件;外延钇铁石榴石YIG薄膜器件设置在共面波导CPW上表面;外延钇铁石榴石YIG薄膜器件外设置有磁场;
共面波导CPW包括介质基片和三条互相平行的导带;三条互相平行的导带设置在介质基片上;中间的导带为中心金属导带,两侧为接地带;
外延YIG薄膜器件横跨三条平行导带设置。
2.根据权利要求1所述的超宽工作范围的铁磁共振矢量磁场传感器,其特征在于,外延钇铁石榴石YIG薄膜器件包括单晶钆镓石榴石GGG衬底和YIG功能层和铂保护层;YIG功能层设置在单晶钆镓石榴石GGG衬底和铂保护层之间。
3.根据权利要求2所述的超宽工作范围的铁磁共振矢量磁场传感器,其特征在于,单晶钆镓石榴石GGG衬底取向为111。
4.根据权利要求3所述的超宽工作范围的铁磁共振矢量磁场传感器,其特征在于,外延钇铁石榴石YIG薄膜器件生长的工艺采用脉冲激光沉积PLD;生长时的温度为850℃,氧气压力为13 Pa;沉积完成后,在100 Pa氧压下原位退火10min,然后冷却至室温;冷却速度为2℃/min。
5.根据权利要求1所述的超宽工作范围的铁磁共振矢量磁场传感器,其特征在于,共面波导CPW的两侧设置有共面波导SMA接口。
6.超宽工作范围的铁磁共振矢量磁场传感器的应用,其特征在于,基于权利要求1至5任意一项所述的超宽工作范围的铁磁共振矢量磁场传感器,用于Keysight E5071C型矢量网络分析仪进行测试。
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