[发明专利]存储器件及存储器件的制造方法

说明书

提供存储器件及其制造方法。实施方式的存储器件包括：电路(CC)，其设置在半导体基板(9)的第1面上，包括第1接触部(53)；氧化铝层(63)，其在与第1面垂直的方向上设置在基板(9)的上方；存储单元(MC)，其包括设置在氧化铝层(63)内的电容器(10)；导电层(61)，其在第1方向上设置在基板(9)与氧化铝层(63)之间，与存储单元(MC)电连接；第1绝缘层(60)，其在第1方向上设置在导电层(61)与基板(9)之间；第2绝缘层(80)，其在与基板(9)的表面平行的第2方向上与氧化铝层(63)相邻，在第1方向上设置在基板(9)的上方；以及第2接触部(70)，其设置在第2绝缘层(80)内，在第1方向上设置在第1接触部(53)的上方，将存储单元(MC)电连接于第1接触部(53)。

本申请以2021年3月24日提出申请的在先的日本国特许申请第2021-049586号的优先权的利益为基础，并且，要求该利益，其内容整体通过引用而包含于此。

技术领域

本发明的实施方式涉及存储器件及存储器件的制造方法。

背景技术

具有新的构造的存储器件以及存储器件的新的制造方法的研究和开发正在被推进。

发明内容

本发明的一个实施例提供制造成本低的存储器件。

实施方式的存储器件具备：半导体基板；电路，其设置在所述半导体基板的第1面上，包括第1接触部；氧化铝层，其在与所述第1面垂直的第1方向上设置在所述半导体基板的上方；存储单元，其包括设置在所述氧化铝层内的电容器；第1导电层，其在所述第1方向上设置在所述半导体基板与所述氧化铝层之间，与所述存储单元电连接；第1绝缘层，其在所述第1方向上设置在所述第1导电层与所述半导体基板之间；第2绝缘层，其在与所述第1面平行的第2方向上与所述氧化铝层相邻，在所述第1方向上设置在所述半导体基板的上方；以及第2接触部，其设置在所述第2绝缘层内，在所述第1方向上设置在所述第1接触部的上方，将所述存储单元电连接于所述第1接触部。

通过上述构成，能够提供制造成本低的存储器件。

附图说明

图1是表示第1实施方式的存储器件的构成例的框图。

图2是第1实施方式的存储器件的存储单元阵列的等效电路图。

图3是表示第1实施方式的存储器件的存储单元的构成例的图。

图4是表示第1实施方式的存储器件的构造例的剖视图。

图5是表示第1实施方式的存储器件的构造例的剖视图。

图6是表示第1实施方式的存储器件的构造例的剖视图。

图7是表示第1实施方式的存储器件的构造例的俯视图。

图8是表示第1实施方式的存储器件的制造方法的一个工序的截面工序图。

图9是表示第1实施方式的存储器件的制造方法的一个工序的截面工序图。

图10是表示第1实施方式的存储器件的制造方法的一个工序的截面工序图。

图11是表示第1实施方式的存储器件的制造方法的一个工序的截面工序图。

图12是表示第1实施方式的存储器件的制造方法的一个工序的截面工序图。

图13是表示第1实施方式的存储器件的制造方法的一个工序的截面工序图。

图14是表示第1实施方式的存储器件的制造方法的一个工序的截面工序图。

图15是表示第1实施方式的存储器件的制造方法的一个工序的截面工序图。

图16是表示第1实施方式的存储器件的制造方法的一个工序的截面工序图。