[发明专利]实现电光锁存功能的半导体激光器、信息加载/锁存方法有效
| 申请号: | 202110869623.2 | 申请日: | 2021-07-30 |
| 公开(公告)号: | CN113612109B | 公开(公告)日: | 2022-12-09 |
| 发明(设计)人: | 张敏明;田琦;刘德明 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
| 主分类号: | H01S5/12 | 分类号: | H01S5/12 |
| 代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 徐美琳 |
| 地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 实现 电光 功能 半导体激光器 信息 加载 方法 | ||
1.基于一种实现电光锁存功能的半导体激光器的信息加载方法,所述半导体激光器包括器件区和隔离区(2),所述器件区包括第一分布反馈激光器(1-1)和第二分布反馈激光器(1-2),第一分布反馈激光器(1-1)和第二分布反馈激光器(1-2)构成谐振腔,每个分布反馈激光器从上至下包括电极(10)、光栅层(11)、有源区(12);所述隔离区(2)用于实现第一分布反馈激光器(1-1)和第二分布反馈激光器(1-2)的电隔离,实现两个分布反馈激光器分别加电,第一分布反馈激光器(1-1)的第一注入电流I1用于驱动第一分布反馈激光器(1-1)发光;第二分布反馈激光器(1-2)的第二注入电流I2用于调节谐振腔内传输光的相位;其特征在于,保持第二注入电流I2固定,第一注入电流I1偏置在Ia与Ib中间,加载在第一注入电流上的驱动信号的幅值大于驱动激光器实现信息加载,输出光状态随着驱动信号变化而变化。
2.如权利要求1所述的信息加载方法,其特征在于,所述有源区(12)为多量子阱结构。
3.如权利要求1所述的信息加载方法,其特征在于,所述第一分布反馈激光器(1-1)外侧镀有高反膜,所述第二分布反馈激光器(1-2)外侧镀有增透膜。
4.如权利要求1所述的信息加载方法,其特征在于,保持I2固定,I1从小到大变化时,激光器的输出光功率跳变点Ia比I1从大到小变化时的光功率跳变点Ib大。
5.如权利要求4所述的信息加载方法,其特征在于,当I1处在Ia与Ib之间时,激光器的出光状态与前一时间出光状态相同。
6.基于一种实现电光锁存功能的半导体激光器的信息锁存方法,所述半导体激光器包括器件区和隔离区(2),所述器件区包括第一分布反馈激光器(1-1)和第二分布反馈激光器(1-2),第一分布反馈激光器(1-1)和第二分布反馈激光器(1-2)构成谐振腔,每个分布反馈激光器从上至下包括电极(10)、光栅层(11)、有源区(12);所述隔离区(2)用于实现第一分布反馈激光器(1-1)和第二分布反馈激光器(1-2)的电隔离,实现两个分布反馈激光器分别加电,第一分布反馈激光器(1-1)的第一注入电流I1用于驱动第一分布反馈激光器(1-1)发光;第二分布反馈激光器(1-2)的第二注入电流I2用于调节谐振腔内传输光的相位;其特征在于,保持第二注入电流I2固定,第一注入电流I1偏置在Ia与Ib中间,加载在第一注入电流上的驱动信号的幅值先大于再减小至不大于激光器会随之保持前一时刻的出光状态,实现信息锁存。
7.如权利要求6所述的信息锁存方法,其特征在于,所述有源区(12)为多量子阱结构。
8.如权利要求6所述的信息锁存方法,其特征在于,所述第一分布反馈激光器(1-1)外侧镀有高反膜,所述第二分布反馈激光器(1-2)外侧镀有增透膜。
9.如权利要求6所述的信息锁存方法,其特征在于,保持I2固定,I1从小到大变化时,激光器的输出光功率跳变点Ia比I1从大到小变化时的光功率跳变点Ib大。
10.如权利要求9所述的信息锁存方法,其特征在于,当I1处在Ia与Ib之间时,激光器的出光状态与前一时间出光状态相同。
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