[发明专利]大位阻咔唑化合物及其在有机电致发光显示器件中的应用

说明书

本发明公开了大位阻咔唑化合物及其在有机电致发光显示器件中的应用，该化合物的通式结构为Arsubgt;1/subgt;至Arsubgt;4/subgt;各自独立地选自取代或未取代的成环碳原子数为6–60的亚芳基、取代或未取代的成环碳原子数为6–60的亚杂芳基,Rsubgt;1/subgt;至Rsubgt;9/subgt;各自独立地选自氢、氘、取代或未取代的碳原子数为1–20的烷基或烷氧基、取代或未取代的成环碳原子数为6–60的芳基、取代或未取代的成环碳原子数为6–60的杂芳基、取代或未取代的碳原子为1–20的氟烷基或氰基，且相邻基团可以通过单键彼此连接。本发明的大位阻咔唑化合物具有高迁移性能的同时满足空穴传输材料能级要求，用于红光/绿光有机电致发光显示器件发光效率高、驱动电压低且使用寿命长。

技术领域

本发明属于有机电致发光材料领域，具体涉及大位阻咔唑化合物及其在有机电致发光显示器件中的应用。

背景技术

目前，有机电致发光显示器件(OLED)的红光、绿光专用空穴传输层材料主要由芳香单胺组成，芳香单胺具有能级易调节的优势，可以根据器件对能级的不同要求进行相应设计。但是，单芳胺由于空穴传输功能位太少而导致迁移率较低。咔唑化合物结构具有高迁移的特性，但是其能级根据连接位置差距很大，无法满足红光/绿光有机电致发光显示器件中空穴传输层材料的使用性能要求。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种大位阻和高迁移率的咔唑化合物，通过引入大位阻基团可以使咔唑类双胺化合物具有高迁移性能的同时能级满足空穴传输材料的要求。

本发明提供的大位阻咔唑化合物，具有如化学式1所示的化学结构：

在化学式1中，Ar₁至Ar₄各自独立地选自取代或未取代的成环碳原子数为6–60的亚芳基、取代或未取代的成环碳原子数为6–60的亚杂芳基；

R₁至R₉各自独立地选自氢、氘、取代或未取代的碳原子数为1–20的烷基或烷氧基、取代或未取代的成环碳原子数为6–60的芳基、取代或未取代的成环碳原子数为6–60的杂芳基、取代或未取代的碳原子为1–20的氟烷基或氰基，且R₁至R₉中相邻基团可以通过单键彼此连接。

优选地，在化学式1中，Ar₁至Ar₄各自独立地选自取代或未取代的成环碳原子数为6–30的亚芳基、取代或未取代的成环碳原子数为6–30的亚杂芳基。

优选地，在化学式1中，R₁至R₉各自独立地选自氢、取代或未取代的碳原子数为1–12的烷基或烷氧基、取代或未取代的成环碳原子数为6–30的芳基、取代或未取代的成环碳原子数为6–30的杂芳基、取代或未取代的碳原子为1–12的氟烷基或氰基，其中R₁至R₉中相邻基团可以通过单键彼此连接。

优选地，在化学式1中，Ar₁至Ar₄各自独立地为以下基团中的一种：R₁至R₉各自独立地为氢、苯基、联苯基、取代或未取代的碳原子数为1–12的烷基，且相邻基团可以通过单键彼此连接。

优选地，所述大位阻咔唑化合物选自以下任一个化学结构：

本发明还提供上述大位阻咔唑化合物在有机电致发光显示器件中的应用。

优选地，所述大位阻咔唑化合物作为所述有机电致发光显示器件的空穴传输层材料。