[发明专利]高温材料制备过程中温场核心区域的测温方法

权利要求书

1.一种高温材料制备过程中温场核心区域的测温方法，其特征在于，包括：将装料后的坩埚或坩埚安装处对应的保温砖以倾斜装炉的方式安装于温场中，所述温场的型号与所述坩埚的型号相适应；

利用与所生产高温材料熔点相同的晶体块安装于所述坩埚和所述温场的保温砖之间的需要测量温度的位置，以使所述坩埚或测温位置对应的保温砖处于经过特殊调整的倾斜装炉的状态，以使后续步骤中温场能够精确复位；

待所述温场的核心区域中的测温位置的温度达到所述晶体块的熔点值后，利用所述晶体块熔化使所述坩埚或保温砖精确的复位至正位安装状态；

利用传感器检测所述坩埚或所述保温砖的复位信号。

2.根据权利要求1所述的测温方法，其特征在于，所述倾斜装炉采取坩埚倾斜方式时满足如下条件：

坩埚朝远离所述晶体块的方向偏心0.5-3mm，坩埚产生1-10度的倾斜，坩埚顶部产生1-20mm偏移，在坩埚侧面等径段高于底部0-160mm的范围内安装晶体块，或在坩埚底部安装晶体块，所述晶体块的长度和宽度均为1-10mm，厚度为0.5-10mm；

优选的，在BS170温场的方案中，坩埚朝远离所述晶体块的方向偏心1.8-2.2mm，坩埚产生2.5-3.5度的倾斜，坩埚顶部产生7-10mm偏移，在坩埚等径段底部以上且距离坩埚等径段底部47-53mm的范围内安装晶体块，所述晶体块的长度和宽度均为4-7mm，厚度为5-6mm；

优选的，在R100温场的方案中，坩埚朝远离所述晶体块的方向偏心0.5-1mm，坩埚产生3-5度的倾斜，坩埚顶部产生3-6mm偏移，在坩埚底部离坩埚边缘2-5mm处安装晶体块，所述晶体块的长度和宽度均为4-5mm，厚度为3-5mm。

3.根据权利要求1所述的测温方法，其特征在于，所述倾斜装炉采取保温材料倾斜方式时满足如下条件：顶层保温砖中的一块相对于第二层保温砖倾斜，综合保温砖形变量和回复时的滑移量设定装炉时所述顶层保温砖向径向外侧的偏移量；将晶体块的放置位置高于所述顶层保温砖底部10-20mm，以使得所述顶层保温砖向径向外侧产生3-5度的偏移，且所述顶层保温砖的顶部产生4-6mm的偏移；其中，所述晶体块的长度为4-4.5mm，宽度为3-3.5mm，厚度为5.5-6.5mm；

优选地，所述顶层保温砖和所述第二层保温砖的材质均为氧化锆时，为综合补偿上述形变量和滑移量，设定装炉时所述顶层保温砖向径向外侧的偏移量为0.5-0.6mm；

优选地，所述顶层保温砖的材质为氧化锆时，且所述第二层保温砖的材质为刚玉莫来石时，为综合补偿上述形变量和滑移量，设定装炉时所述顶层保温砖向径向外侧的偏移量为0.3-0.4mm。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的测温方法，其特征在于，所述晶体块的材质与所生产的高温材料的材质熔点和化学性质相近；

优选地，所述晶体块的材质与所生产的高温材料的材质相同。

5.根据权利要求1所述的测温方法，其特征在于，在倾斜安装的坩埚或保温材料顶部连接可延伸至低温区的标识物，并在温场外围设置位移或接触压力类传感器，以探测所述标识物在低温区一端的状态。

6.根据权利要求5所述的测温方法，其特征在于，所述标识物包括用于检测位移的第一倾斜段、用于在装炉时置于保温砖顶部的水平段和用于与坩埚保温盖外缘相接触的第二倾斜段，所述水平段的一端与所述第一倾斜段相连，另一端与所述第二倾斜段相连。

7.根据权利要求6所述的测温方法，其特征在于，所述标识物为直径为0.2-1mm的丝状物或厚度0.2-1mm、宽度1～5mm的薄条状物，标识物材料与坩埚材料相同。

8.根据权利要求1所述的测温方法，其特征在于，在温场外侧安装电磁感应传感器，以观测坩埚复位信号。

9.根据权利要求8所述的测温方法，其特征在于，所述电磁感应传感器安装位置高于坩埚底部70-130mm。