[发明专利]液晶高分子薄膜及其制备方法和应用

说明书

本发明提供了一种液晶高分子薄膜及其制备方法和应用，涉及功能性薄膜技术领域。所述液晶高分子薄膜具有ABA三层结构，中间层B的上下表面分别覆盖有A层；其中，所述中间层B主要由液晶高分子聚合物组成；所述A层主要由液晶高分子聚合物、聚醚酰亚胺和增容剂组成。由本申请上述原料以及结构制得的液晶高分子薄膜，通过在A层中加入聚醚酰亚胺和增容剂，可以显著提高液晶高分子薄膜与铜箔的界面结合强度，同时所制得的复合薄膜保持了优异的力学性能、耐热性和高频介电性能。此外，本申请液晶高分子薄膜的中间层B中的液晶高分子聚合物与A层中的液晶高分子聚合物相同，这也有效保证了A、B层之间液晶高分子的相容。

技术领域

本发明涉及功能性薄膜技术领域，尤其是涉及一种液晶高分子薄膜及其制备方法和应用。

背景技术

液晶高分子薄膜作为一种新型的高频高速传输介质材料正逐渐在5G终端上得到越来越广泛的应用。液晶高分子具有如下优异的性能特征：(1)、介电常数低(≤3.3)且稳定性好，可在0-110GHz的频谱范围内保持恒定的介电常数；(2)、高频介电损耗小，在110GHz范围可以保持小于0.005；(3)、吸水率低(～0.04％)；(4)、优异的尺寸稳定性。这些特点使得液晶高分子膜成为了理想的高频柔性覆铜板基材。

在高频柔性电路板中，随着电磁信号传输频率的增高(10GHz)，电路中的电流几乎都沿着绝缘基材与导电层的界面进行传导，形成“趋肤效应”，也即导电层的表面粗糙度会显著影响电路的损耗。

另一方面，由于液晶高分子是热塑性材料，因此其与导电金属层的结合可以实现无胶贴合。但导电层的表面粗糙度对两者的结合强度具有显著影响。如果使用传统表面处理技术对导电铜箔进行表面粗化处理，虽然可以有效提高可以液晶高分子基材与铜箔间的结合强度，但是粗糙的界面会增大高频信号传输距离，造成信号严重损耗，甚至失效，所以必须使用低表面粗糙的铜箔。但使用低表面粗糙度(0.1-3.5μm)的铜箔又会引起铜箔与液晶高分子基材结合力弱的问题。

因此，如何在不改变铜箔表面粗糙度基础上，通过合理的表面结构或成分处理提高液晶高分子基材与低粗糙度铜箔间的结合强度具有重要现实意义。

有鉴于此，特提出本发明。

发明内容

本发明的第一目的在于提供一种液晶高分子薄膜，所述液晶高分子薄膜可以在不改变铜箔地粗糙度的前提下，显著提高与铜箔的界面结合强度，同时所制得的薄膜保持了优异的力学性能、耐热性和高频介电性能。

本发明的第二目的在于提供一种液晶高分子薄膜的制备方法。

本发明的第三目的在于提供一种液晶高分子薄膜的应用，所述液晶高分子薄膜可以广泛应用于高频柔性电路板的制备过程中。

为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：

本发明提供的一种液晶高分子薄膜，所述液晶高分子薄膜具有ABA三层结构，中间层B的上下表面分别覆盖有A层；

其中，所述中间层B主要由液晶高分子聚合物组成；所述A层主要由液晶高分子聚合物、聚醚酰亚胺和增容剂组成；

所述中间层B中的液晶高分子聚合物与A层中的液晶高分子聚合物相同。

进一步的，按质量份数计，所述A层由以下原料组成：

液晶高分子聚合物70～90份、聚醚酰亚胺10～30份和增容剂1～2份；

优选地，按质量份数计，所述A层由以下原料组成：

液晶高分子聚合物70份、聚醚酰亚胺30份和增容剂1.5份。

进一步的，所述液晶高分子薄膜的厚度为25～125μm。

进一步的，所述液晶高分子薄膜中，A层厚度与中间层B层厚度的厚度比为1：3～8。