[发明专利]一种超快斜坡扫描脉冲产生电路及产生方法在审
| 申请号： | 202110866470.6 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN113541654A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 卢裕;刘震;马梦园;郭常福;王磊;汪文军 | 申请（专利权）人： | 西安中科英威特光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K4/94 | 分类号： | H03K4/94 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 梁静 |
| 地址： | 710119 陕西省西安市高新区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 斜坡 扫描 脉冲 产生 电路 方法 | ||
1.一种超快斜坡扫描脉冲产生电路，其特征在于，所述超快斜坡扫描脉冲产生电路包括于条纹相机的扫描模块中；
所述超快斜坡扫描脉冲产生电路，包括：充电电路和放电电路；
所述充电电路包括：第一MOSFET开关管Q1与压控电流源VCCS串联接地，第一MOSFET开关管Q1与压控电流源VCCS组成的串联电路分别与第二MOSFET开关管Q2并联接地，与依次串联的电阻R1、电感L1、偏转板的等效电容C1组成的串联电路并联接地；
所述放电电路包括：第三MOSFET开关管Q3与恒流源串联接地，第三MOSFET开关管Q3与恒流源组成的串联电路分别与第二MOSFET开关管Q2并联接地，与依次串联的电阻R1、电感L1、偏转板的等效电容C1组成的串联电路并联接地；
当第一MOSFET开关管Q1导通时，压控电流源VCCS对偏转板的等效电容C1进行充、放电，获得具有快速前、后沿的斜坡扫描脉冲。
2.如权利要求1所述的超快斜坡扫描脉冲产生电路，其特征在于，所述超快斜坡扫描脉冲产生电路，还包括：
通过调节恒流源的充电电流大小，对具有快速前、后沿的斜坡扫描脉冲斜率进行调节。
3.如权利要求2所述的超快斜坡扫描脉冲产生电路，其特征在于，调节恒流源的充电电流大小的方式，包括以下方式中的任一种：
通过改变压控电流源VCCS的电压，调节恒流源的充电电流大小；
通过改变压控电流源VCCS的频率，调节恒流源的充电电流大小；
通过改变压控电流源VCCS的占空比，调节恒流源的充电电流大小。
4.一种超快斜坡扫描脉冲产生方法，其特征在于，基于超快斜坡扫描脉冲产生电路，其包括于条纹相机的扫描模块中；
当第一MOSFET开关管Q1导通时，压控电流源VCCS对偏转板的等效电容C1进行充、放电，获得具有快速前、后沿的斜坡扫描脉冲；
其中，所述超快斜坡扫描脉冲产生电路，包括：充电电路和放电电路；
所述充电电路包括：第一MOSFET开关管Q1与压控电流源VCCS串联接地，第一MOSFET开关管Q1与压控电流源VCCS组成的串联电路分别与第二MOSFET开关管Q2并联接地，与依次串联的电阻R1、电感L1、偏转板的等效电容C1组成的串联电路并联接地；
所述放电电路包括：第三MOSFET开关管Q3与恒流源串联接地，第三MOSFET开关管Q3与恒流源组成的串联电路分别与第二MOSFET开关管Q2并联接地，与依次串联的电阻R1、电感L1、偏转板的等效电容C1组成的串联电路并联接地。
5.如权利要求4所述的超快斜坡扫描脉冲产生方法，其特征在于，还包括：
通过调节恒流源的充电电流大小，对具有快速前、后沿的斜坡扫描脉冲斜率进行调节。
6.如权利要求5所述的超快斜坡扫描脉冲产生方法，其特征在于，调节恒流源的充电电流大小的方式，包括以下方式中的任一种：
通过改变压控电流源VCCS的电压，调节恒流源的充电电流大小；
通过改变压控电流源VCCS的频率，调节恒流源的充电电流大小；
通过改变压控电流源VCCS的占空比，调节恒流源的充电电流大小。
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