[发明专利]一种五氧化三钛晶体的制备方法

权利要求书

1.一种五氧化三钛晶体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)、将原料钛粉和氧化硅包覆处理的金红石型二氧化钛粉按质量比为＝1:9-12，混合均匀、造粒，在100-300℃下烘干，成为烧结料；

2)、将烧结料放入坩埚中，坩埚转移至高温下降炉内，抽真空至炉内真空度为10^-3-10^-4pa以下；

3)、对整个系统分阶段升温烧结，各阶段的参数设定如下：

第一阶段：常温升至1050℃，升温速率为5-7℃/min，真空度保持在10^-3-10^-4pa以下；

第二阶段：1050℃升至1150℃，升温速率为2-4℃/min，当温度达到1150℃时采用0.3L/min-0.8L/min的流量充入惰性保护气体；

第三阶段：继续保持0.5-0.8L/min的流量充入惰性保护气体，1150℃保温1-2小时，原料熔化充分，晶体生长的固液界面温度梯度在30-48℃/cm的范围内，坩埚下降速率在1.5-3.5mm/h之间，

4)、待晶体生长结束后，转移至生长炉内保温10-24小时，然后经过匀速降至室温。

2.如权利要求1所述的一种五氧化三钛晶体的制作工艺，其特征在于，所述步骤3)中对整个系统的加热方式是电磁感应加热。

3.如权利要求1所述的一种五氧化三钛晶体的制作工艺，其特征在于，所述步骤4)中以50-55℃/h的速度降至室温，对所生长的晶体进行退火处理。

4.如权利要求1所述的一种五氧化三钛晶体的制作工艺，其特征在于，所述步骤3)中第二阶段、第三阶段充入的惰性保护气体为氩气、氦气、氦气中的任一种。