[发明专利]压控振荡器及锁相环在审
申请号: | 202110865193.7 | 申请日: | 2021-07-29 |
公开(公告)号: | CN113472349A | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 李飞;王志利;刘玉春 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H03L7/099 | 分类号: | H03L7/099;H03K3/03;H03K3/013 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 周耀君 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压控振荡器 锁相环 | ||
1.一种压控振荡器,其特征在于,包括控制电压稳定电路、电流提供电路以及环形振荡电路;所述控制电压稳定电路与所述压控振荡器的控制电压输入端连接,用于压缩控制电压的变化幅度,输出压缩变化幅度的控制电压信号;所述电流提供电路与所述控制电压稳定电路的输出端连接,用于在所述压缩变化幅度的控制电压信号的控制下,输出相应电流值的电流信号;所述环形振荡电路与所述电流提供电路的输出端连接,基于所述电流控制电路输出的电流信号,输出相应频率的周期信号。
2.根据权利要求1所述的压控振荡器,其特征在于,所述控制电压稳定电路为反向输出的负反馈电路。
3.根据权利要求2所述的压控振荡器,其特征在于,所述控制电压稳定电路包括运算放大器、第一PMOS晶体管及第一电阻;
所述运算放大器的反向输入端连接所述压控振荡器的控制电压,所述运算放大器的输出端连接所述第一PMOS晶体管的栅极,并以所述运算放大器的输出为所述控制电压稳定电路的输出;
所述第一PMOS晶体管的源极连接电源端,所述第一PMOS晶体管的漏极连接所述运算放大器的正向端;
所述第一电阻的一端连接所述第一PMOS晶体管的漏极,所述第一电阻的另一端接地。
4.根据权利要求3所述的压控振荡器,其特征在于,所述运算放大器为轨对轨运算放大器。
5.根据权利要求1所述的压控振荡器,其特征在于,所述环形振荡电路为差分式环形振荡电路。
6.根据权利要求5所述的压控振荡器,其特征在于,所述环形振荡电路包括三个震荡单元,三个所述震荡单元的输出端和输入端首尾依次相接,每个所述震荡单元均包括两个输入端及两个输出端。
7.根据权利要求6所述的压控振荡器,其特征在于,每个所述震荡单元的两个输出端均连接有稳压结构,用于稳定所述振荡单元的输出电压,其中,每个稳压结构包括漏极和栅极短接的NMOS晶体管,所述NMOS晶体管的漏极连接所述震荡单元的输出,所述NMOS晶体管的源极接地,所述NMOS晶体管的栅极作为所述震荡单元的输出。
8.根据权利要求6所述的压控振荡器,其特征在于,所述电流提供电路为电流镜像电路。
9.根据权利要求8所述的压控振荡器,其特征在于,所述电流提供电路包括转换电流电路及三个镜像电流支路;所述转换电流电路包括上PMOS晶体管、下NMOS晶体管及第二电阻,所述上PMOS晶体管的源极连接电源端,所述上PMOS晶体管的漏极与所述下NMOS晶体管的源极相连,所述第二电阻的一端与所述下NMOS晶体管的漏极连接,所述第二电阻的另一端接地,所述控制电压稳定电路的输出端连接所述下NMOS晶体管的栅极;
每个所述镜像电流支路包括一个镜像PMOS晶体管,所述镜像PMOS晶体管的漏极与对应的震荡单元连接,所述镜像PMOS晶体管的源极连接电源端,所述镜像PMOS晶体管的栅极与所述上PMOS晶体管的栅极连接。
10.一种锁相环,其特征在于,包括如权利要求1至9任一项中所述的压控振荡器。
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