[发明专利]一种铝基碳化硅表面低反射率膜层及其制备方法

权利要求书

1.一种铝基碳化硅表面低反射率膜层，其特征是：包含铝基碳化硅结构件，所述铝基碳化硅结构件设有清洁面，所述清洁面外依次设有浸锌层、化学镀镍层、铜层和氧化膜层，所述铜层厚度为4～6μm，所述氧化膜层厚度小于等于2μm。

2.根据权利要求1所述的铝基碳化硅表面低反射率膜层，其特征是：所述浸锌层厚度小于等于1μm。

3.根据权利要求1所述的铝基碳化硅表面低反射率膜层，其特征是：所述化学镀镍层厚度小于等于2μm。

4.一种如权利要求1-3任一所述铝基碳化硅表面低反射率膜层的制备方法，其特征是：包含如下步骤：

S1、对铝基碳化硅材料制成的结构件表面依次进行除油处理、水洗、弱浸蚀和再水洗，得到活性较强的清洁面。

S2、对S1步骤中得到的清洁面进行浸锌处理，得到浸锌层。

S3、对S2步骤中得到的浸锌层表面进行化学镀镍处理，完成对铝基碳化硅材料制成的结构件表面的改性，得到改性表面。

S4、对S3步骤中得到的改性表面进行镀铜处理，得到铜层。

S5、在S4步骤中得到的铜层表面进行化学氧化处理，最终得到黑色的低反射率膜层，使得380nm～10μm波长范围内的光在此膜层上的镜面反射率≤2％，对结构件的精度影响不超过5μm。

5.根据权利要求4所述的铝基碳化硅表面低反射率膜层的制备方法，其特征是：在S1步骤中的除油处理包含有机溶剂除油和化学除油，除油处理时间超过25min，除油处理后先进行热水洗，再进行冷水洗。

6.根据权利要求4所述的铝基碳化硅表面低反射率膜层的制备方法，其特征是：在S1步骤中弱浸蚀采用的浸蚀液原料包含铬酸酐、氢氟酸和硝酸，弱浸蚀之后进行冷水洗。

7.根据权利要求4所述的铝基碳化硅表面低反射率膜层的制备方法，其特征是：在S2步骤中，浸锌处理工艺依次为一次浸锌、冷水清洗、退锌、二次浸锌和冷水清洗。

8.根据权利要求4所述的铝基碳化硅表面低反射率膜层的制备方法，其特征是：在S3步骤中，化学镀镍采用的化学原料包含硫酸镍、氯化镍、次亚磷酸钠、乙酸钠、柠檬酸三钠、苹果酸、碘酸钾。

9.根据权利要求4所述的铝基碳化硅表面低反射率膜层的制备方法，其特征是：在S4步骤中的镀铜方式选用氰化镀铜工艺。

10.根据权利要求4所述的铝基碳化硅表面低反射率膜层的制备方法，其特征是：对S5步骤中的低反射率膜层还需在水洗干燥后，进行防锈处理。