[发明专利]一种刻蚀方法

权利要求书

1.一种刻蚀方法，其特征在于：所述刻蚀方法用于形成光滑的通孔剖面形貌，其工艺步骤包含：

步骤一，在三层刻蚀结构中，具有一掺杂碳化硅薄膜，所述的掺杂碳化硅薄膜具有相对的两个表面；定义掺杂碳化硅薄膜的一表面为上表面，与之相对的另一面为下表面；所述上表面覆盖一层未掺杂硅玻璃USG，未掺杂硅玻璃USG层之上还覆盖有一层NFC层；所述的掺杂碳化硅薄膜的下表面具有金属层；

所述的未掺杂硅玻璃USG层中形成深孔，所述的深孔分为两段，上段的孔直径大于下段的孔；深孔内具有填充物；向下刻蚀到深孔的下段；

步骤二，进行第一次的光刻胶的刻蚀工艺，采用含F的混合刻蚀气体对光刻胶进行刻蚀的同时对深孔内的未掺杂硅玻璃USG的形貌进行刻蚀修饰；

步骤三，进行第二次的光刻胶的刻蚀工艺，去除剩余的光刻胶。

2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：所述的金属层为铜。

3.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：在所述的步骤一之前，还包含有低温氧化硅层LTO层刻蚀工艺步骤。

4.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：所述的步骤二中，采用CF₄和O₂的混合气体作为刻蚀气体对光刻胶以及未掺杂硅玻璃USG进行刻蚀；步骤一中的刻蚀工艺在深孔内部形成未掺杂硅玻璃USG的篱笆状残留，通过第一次的含F的刻蚀工艺对篱笆状未掺杂硅玻璃USG残留进行刻蚀去除，修饰深孔内部的形貌。

5.根据权利要求1或4所述的刻蚀方法，其特征在于：所述的含F气体刻蚀工艺，其刻蚀偏置功率小于80W。

6.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：所述的步骤三中，第二次的光刻胶刻蚀去除工艺采用不含F的刻蚀气体氛围进行刻蚀，将深孔内的剩余的光刻胶完全去除。

7.根据权利要求6所述的刻蚀方法，其特征在于：所述的刻蚀气体氛围为O₂。