[发明专利]一种光伏发电用硅片防反射涂层及其制备工艺在审
申请号: | 202110862132.5 | 申请日: | 2021-07-29 |
公开(公告)号: | CN113594268A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 严循成;何迎辉 | 申请(专利权)人: | 江苏福旭科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 沈廉 |
地址: | 223699 江苏省宿迁市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发电 硅片 反射 涂层 及其 制备 工艺 | ||
本发明公开了一种光伏发电用硅片防反射涂层及其制备工艺,属于硅片防反射技术领域,通过在防反射涂布层与硅片本体之间设置导热粘结层,当带有一定高温的涂布嵌设层嵌设于导热粘结层上后,有利于粘结囊体熔融并扩散分布于导热粘结层与涂布嵌设层之间,涂布嵌设层远离导热粘结层的一端面上设有防反射涂布层,防反射涂布层由贴附于涂布嵌设层上的碳纤维网架层与涂覆于其端面上的抗反射涂料组成,抗反射涂料分散填充于涂布嵌设层与碳纤维网架层所构成的多孔材料中,该多孔性材料为在抗反射涂料的表面形成抑制反射的凹凸,提高抗反射性能,并且所形成的复合层不仅为抗反射涂料的涂覆提供空间,还有利于提高抗反射涂料与硅片本体之间的粘结性能。
技术领域
本发明涉及硅片防反射技术领域,更具体地说,涉及一种光伏发电用硅片防反射涂层及其制备工艺。
背景技术
在半导体的生产过程中,用于形成亚微图形的照相平版印刷方法,有曝照辐射线的驻波的反射陷波是不可避免的。该效应是由于涂于半导体晶片的底涂层的光谱性能,光致抗蚀涂层的变化和来自底涂层的衍射和反射光所致的临界尺寸(CD)的变动带来的。因此,有人建议将所谓的“防反射性涂料”的涂层引入到半导体器件以防止来自底涂层的光的反射。
该防反射性涂料通常包括吸收用于平版印刷术方法的光束源波长范围的光的有机材料,防反射涂层是旋涂于光刻胶与Si衬底界面处以吸收光刻反射光的物质。而现有技术中往往只是将防反射涂料简单地涂布于硅片端面上,两者之间的附着力度还有待提高,当粘结性较差时,在使用一定年限后,该防反射涂层就易脱落;同时,硅片的导热、吸热性能也有待提高。
为此,我们提出一种光伏发电用硅片防反射涂层及其制备工艺来有效提高涂层黏着力。
发明内容
1.要解决的技术问题
针对现有技术中存在的问题,本发明的目的在于提供一种光伏发电用硅片防反射涂层及其制备工艺,通过在防反射涂布层与硅片本体之间设置导热粘结层,当带有一定高温的涂布嵌设层嵌设于导热粘结层上后,有利于粘结囊体熔融并扩散分布于导热粘结层与涂布嵌设层之间,涂布嵌设层远离导热粘结层的一端面上设有防反射涂布层,防反射涂布层由贴附于涂布嵌设层上的碳纤维网架层与涂覆于其端面上的抗反射涂料组成,抗反射涂料分散填充于涂布嵌设层与碳纤维网架层所构成的多孔材料中,该多孔性材料为在抗反射涂料的表面形成抑制反射的凹凸,提高抗反射性能,并且所形成的复合层不仅为抗反射涂料的涂覆提供空间,还有利于提高抗反射涂料与硅片本体之间的粘结性能。
2.技术方案
为解决上述问题,本发明采用如下的技术方案。
一种光伏发电用硅片防反射涂层,包括硅片本体和通过导热粘结层粘结于硅片本体上的涂布嵌设层,所述涂布嵌设层上设有防反射涂布层,所述导热粘结层包括固定贴附于硅片本体上的金属泡沫网结层,所述金属泡沫网结层上分布有多个粘结囊体,所述防反射涂布层包括碳纤维网架层,所述碳纤维网架层与涂布嵌设层相贴附一面上涂覆有抗反射涂料,所述涂布嵌设层与碳纤维网架层相贴附一面上涂覆有光阻剂,所述防反射涂布层的外端面设有涂布胶层,所述涂布胶层与防反射涂布层相贴附一面涂覆有黑钴涂层,所述涂布胶层的顶端面涂覆有抗放射涂料。
进一步的,所述粘结囊体包括位于嵌设于金属泡沫网结层网隙内的热熔性外包囊,所述热熔性外包囊内填充有导热硅胶体,所述热熔性外包囊的外端壁上分布有多个纤维绒毛,粘结囊体在受热内破解,其内部的导热硅胶体向外溢出并充分扩散于金属泡沫网结层上,在金属泡沫网结层上形成一层硅胶粘结层。
进一步的,所述涂布嵌设层与防反射涂布层相贴附一面分布有多个金属粉末烧结凸起,所述防反射涂布层的底端面上分布有多个与金属粉末烧结凸起位置相匹配的网状嵌设凹槽,所述网状嵌设凹槽与金属粉末烧结凸起相互嵌设衔接,设置相互匹配的网状嵌设凹槽与金属粉末烧结凸起,一方面有利于提高涂布嵌设层与防反射涂布层之间的衔接稳固性,另一方面,所嵌设衔接的多孔材料面为抗反射材料的涂覆提供更为广阔的涂覆面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的