[发明专利]像素结构、像素结构的制作方法及阵列基板在审

专利信息
申请号: 202110860530.3 申请日: 2021-07-28
公开(公告)号: CN113534528A 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 乔传兴;蔡昌宇;颜金成;赵约瑟 申请(专利权)人: 深圳莱宝高科技股份有限公司
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335;G02F1/1368;G02F1/1362
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 赵智博
地址: 518000 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 像素 结构 制作方法 阵列
【说明书】:

发明属于平板显示技术领域,尤其涉及一种像素结构、像素结构的制作方法及阵列基板。通过在反射基底层上设有漫反射结构和镜面反射结构,且反射层覆盖于漫反射结构和镜面反射结构上,并呈现出对应漫反射结构和镜面反射结构的形状,入射光照射到反射层对应漫反射结构位置时,反射层对入射光进行漫反射;入射光照射到反射层对应镜面反射结构位置时,反射层对入射光进行镜面反射。因此,实现了对光的漫反射和镜面反射功能,从而使用该结构的显示装置具有高反射率,漫反射和镜面反射有利于增大侧向的可视角度,且无需在使用背光源结构,降低了整体功耗和节约了成本,同时产品还保留本身宽视角,高对比度的优点。

技术领域

本发明属于平板显示技术领域,尤其涉及一种像素结构、像素结构的制作方法及阵列基板。

背景技术

目前,TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)的显示模式主要有TN(Twisted Nematic,扭曲向列)模式、VA(VerticalAlignment,垂直取向)模式、IPS(In-Plane-Switching,平面方向转换)模式、ADS(AdvancedSuper Dimension Switch,高超维场转换)模式、MVA(Muti-domain Vertical Alignment,多畴垂直取向)模式和AIFF MVA(Amiplified Intrinsic Fringe Field ControlledMuti-domain Vertical Alignment,强化液晶内边缘电场效应多域垂直取向)模式。

AIFF MVA模式具有宽视角等优点而被广泛使用,但是现有应用AIFF MVA模式的液晶面板进行显示时需要背光源(Back Light)提供光源,背光源是位于液晶显示器(LiquidCrystal Display,LCD)背后的一种光源,它的发光效果将直接影响到液晶显示模块(LCM)的视觉效果,但是现有的背光源的功耗大,且生产的成本较高。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种像素结构旨在解决现有AIFF MVA模式的液晶面板功耗大的问题。

为实现上述目的,本申请采用的技术方案是:提供一种像素结构,包括:像素驱动结构、反射基底层以及反射层;所述反射基底层形成于所述像素驱动结构的一表面上,所述反射基底层背离所述像素驱动结构的表面设有漫反射结构以及与所述漫反射结构间隔设置的镜面反射结构;所述反射层覆盖于所述漫反射结构和所述镜面反射结构上,且所述反射层对应所述漫反射结构位置复制所述漫反射结构;所述反射层对应所述镜面反射结构位置复制所述镜面反射结构;

其中,入射光照射到所述反射层对应所述漫反射结构位置时,所述反射层对所述入射光进行漫反射;所述入射光照射到所述反射层对应所述镜面反射结构位置时,所述反射层对所述入射光进行镜面反射。

在一个实施例中,所述漫反射结构由多个散光凸起构成。

在一个实施例中,所述散光凸起为棱镜结构或者凸透镜结构。

在一个实施例中,所述镜面反射结构为光滑平面。

在一个实施例中,所述反射基底层为单层结构构成的反射基底层;或者,所述反射基底层为多层结构层叠构成的反射基底层。

在一个实施例中,所述像素驱动结构包括依次层叠设置的栅极层、第一绝缘层、漏源极层、半导体层和像素电极层;所述栅极层具有多条栅极线;所述漏源极层包括源极层和漏极层,所述源极层具有多条源极线,多条所述源极线和多条所述栅极线相互交叉,并定义出多个像素区域;所述半导体层连接于所述源极层和所述漏极层之间;所述漏极层与所述像素电极层电性相连。

在一个实施例中,所述漫反射结构围绕所述镜面反射结构间隔排布。

一种像素结构的制作方法,包括,以下步骤:

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