[发明专利]一种有机硅化合物改性的疏水聚氨酯泡沫及其制备方法有效
申请号: | 202110860039.0 | 申请日: | 2021-07-28 |
公开(公告)号: | CN113429620B | 公开(公告)日: | 2022-10-28 |
发明(设计)人: | 任龙芳;汤正 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | C08J9/40 | 分类号: | C08J9/40;C08J9/08;C08L75/04;C08G18/61;C08G101/00 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 陈翠兰 |
地址: | 710021*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机硅 化合物 改性 疏水 聚氨酯 泡沫 及其 制备 方法 | ||
1.一种有机硅化合物改性的疏水聚氨酯泡沫的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1)将端异氰酸酯基聚氨酯预聚体与干燥后的有机硅化合物混合,混合反应后得到有机硅改性聚氨酯预聚体;
步骤2)将有机硅改性聚氨酯预聚体与去离子水混合搅拌,得到混合液,将混合液进行发泡固化,得到聚氨酯泡沫;
步骤3)将聚氨酯泡沫依次经过洗涤和烘干后,浸入铬酸中刻蚀,刻蚀后再依次进行洗涤和烘干,并将第二次烘干后的聚氨酯泡沫浸渍在长碳链有机硅化合物溶液中进行接枝反应,烘干后得到有机硅化合物改性的疏水聚氨酯泡沫;
步骤1)中有机硅改性聚氨酯预聚体制备时,混合反应后向混合溶液中滴加有丙酮;
丙酮与端异氰酸酯基聚氨酯预聚体的投料比为(0.18~0.3)ml:10g;
步骤1)中,有机硅化合物为端羟基聚二甲基硅氧烷或端氨丙基聚二甲基硅氧烷;
步骤1)中,端异氰酸酯基聚氨酯预聚体与干燥后的有机硅化合物混合时的质量比为(4~20):1;
步骤2)中,有机硅改性聚氨酯预聚体与去离子水混合时,去离子水与端异氰酸酯基聚氨酯预聚体的质量比为(1.5~2.5):1;
步骤3)中,长碳链有机硅化合物为十六烷基三甲氧基硅烷或十八烷基三氯硅烷;
步骤3)中,
刻蚀时,聚氨酯泡沫与铬酸的投料比为(0.8~1.2)g:30ml ;
铬酸的浓度为10~100g/L,刻蚀时间为0.5~3min。
2.根据权利要求1所述的有机硅化合物改性的疏水聚氨酯泡沫的制备方法,其特征在于,步骤1)中,
当有机硅化合物为端羟基聚二甲基硅氧烷时,混合反应的条件为:温度70~80℃,时间40~60min;
当有机硅化合物为端氨丙基聚二甲基硅氧烷时,混合反应的条件为:温度20~35℃,时间40~60min。
3.根据权利要求1所述的有机硅化合物改性的疏水聚氨酯泡沫的制备方法,其特征在于,步骤3)中,长碳链有机硅化合物溶液中的溶剂为环己烷;
长碳链有机硅化合物溶液中,长碳链有机硅化合物与环己烷的体积比为(1~5):100。
4.根据权利要求1所述的有机硅化合物改性的疏水聚氨酯泡沫的制备方法,其特征在于,步骤1)中,有机硅化合物干燥的条件为:温度110~140℃,时间2~4h;
步骤2)中,搅拌的条件为:温度20~35℃,时间40~60s;发泡固化的条件为:温度20~35℃,时间5~10min;
步骤3)中,刻蚀前的洗涤是依次利用去离子水和乙醇交替洗涤2~3次;刻蚀后的洗涤是利用去离子水洗涤;
烘干的条件均为:温度60~80℃,时间4~6h;
浸渍的条件为:温度20~35℃,时间30~60min。
5.一种根据权利要求1~4任一项所述有机硅化合物改性的疏水聚氨酯泡沫的制备方法制得的有机硅化合物改性的疏水聚氨酯泡沫,其特征在于,有机硅化合物改性的疏水聚氨酯泡沫的水接触角的范围为138°~148°。
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