[发明专利]复合衬底及其制备方法在审
| 申请号： | 202110858367.7 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113644118A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 徐琳;金超;赵毛毛 | 申请（专利权）人： | 苏州纳维科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合 衬底 及其 制备 方法 | ||
1.一种复合衬底，其特征在于，包括：
III-V族衬底，所述III-V族衬底具有III族极性面和V族极性面；
欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述III-V族衬底的V族极性面上。
2.根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于，所述III-V族衬底采用非掺杂GaN材料或半绝缘GaN材料，厚度为1μm-1000μm。
3.根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于，所述欧姆接触层采用高载流子浓度GaN材料，厚度为10nm-1000μm。
4.根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于，所述欧姆接触层采用高电导率GaN单晶材料，厚度为1μm-1000μm。
5.根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于，所述III-V族衬底采用低杂质浓度外延层，厚度为1μm-1000μm，载流子浓度低于1×1017cm-3。
6.根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于，所述III-V族衬底和欧姆接触层的材料分别采用二元III-V族半导体材料、多个III族元素和多个V族元素形成的三元、四元及多元III-V族半导体材料，或者不同禁带宽度的由III族元素和V族元素形成的二元、三元及多元III-V族半导体材料。
7.一种复合衬底的制备方法，其特征在于，包括：
提供一III-V族衬底，所述III-V族衬底具有III族极性面和V族极性面；在所述III-V族衬底的V族极性面上形成欧姆接触层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述III-V族衬底采用非掺杂GaN材料或半绝缘GaN材料，厚度为1μm-1000μm。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述欧姆接触层采用高载流子浓度GaN材料，厚度为10nm-1000μm。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述III-V族衬底和欧姆接触层的材料分别采用二元III-V族半导体材料、多个III族元素和多个V族元素形成的三元、四元及多元III-V族半导体材料，或者不同禁带宽度的由III族元素和V族元素形成的二元、三元及多元III-V族半导体材料。
11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述形成欧姆接触层的方法选自氢化物气相外延、金属有机物化学气相沉积、分子束外延、氨热法、Na助熔剂法其中的一种或几种方法的组合。
12.一种复合衬底的制备方法，其特征在于，包括：
提供一支撑衬底；
在所述支撑衬底的表面形成欧姆接触层；
在所述欧姆接触层表面形成III-V族衬底，所述III-V族衬底具有III族极性面和V族极性面，且所述V族极性面与所述欧姆接触层直接接触；
去除所述支撑衬底。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述III-V族衬底采用非掺杂GaN材料或半绝缘GaN材料，厚度为1μm-1000μm。
14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述欧姆接触层采用高载流子浓度GaN材料，厚度为10nm-1000μm。
15.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述III-V族衬底和欧姆接触层的材料分别采用二元III-V族半导体材料、多个III族元素和多个V族元素形成的三元、四元及多元III-V族半导体材料，或者不同禁带宽度的由III族元素和V族元素形成的二元、三元及多元III-V族半导体材料。
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