[发明专利]一种分布式T型行波离子回旋天线结构在审
申请号: | 202110857115.2 | 申请日: | 2021-07-28 |
公开(公告)号: | CN113612006A | 公开(公告)日: | 2021-11-05 |
发明(设计)人: | 杨桦;秦成明;张新军;袁帅;王永胜 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
主分类号: | H01Q1/00 | 分类号: | H01Q1/00;H01Q1/36;H01Q1/48;H01Q1/52;H05H1/02;H05H1/16 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 李晓莉 |
地址: | 230031 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 分布式 行波 离子 回旋 天线 结构 | ||
本发明公开了一种分布式T型行波离子回旋天线结构,包含环绕托卡马克内壁一圈分布式离子回旋天线,每个天线有八个并列电流条带,电流条带呈现T型结构,法拉第屏蔽,箱体,同轴线内导体,同轴线外导体,电容和接地条带。利用行波天线低电压、低反射功率系数的特点,在电流条带上通过电阻、电容来调节射频共振频率,能量在条带间互耦的过程中被辐射到等离子体中,与传统离子回旋天线相比,功率输入端口反射系数大幅度降低,保证了系统高效的功率辐射,本发明将有助于离子回旋加热系统在磁约束聚变中的应用。
技术领域
本发明涉及磁约束离子回旋波加热等离子体技术领域,具体是一种分布式T型行波离子回旋天线结构,此天线以行波状态高效辐射电磁波,频率范围在几十兆赫兹。
背景技术
在几十兆赫兹波段,射频波利用与磁场约束离子共振频率接近或者倍频条件下,电磁波将能量传递给离子,起到加热等离子体的作用,实现高温离子发生聚变。射频波能量的辐射主要依赖于天线,因为离子回旋波长在米量级,同时磁约束聚变装置窗口受到空间限制,天线由不足1米的电流条带组成,现有离子回旋天线电场分布主要是驻波形式。在未来的大型磁约束装置中,对离子回旋天线加热功率有较高的要求,比如我国正在设计的未来磁约束示范堆,需要离子回旋功率达到30兆瓦,为了尽可能少的占用水平窗口,一种位于上窗口分布式的行波天线是一种潜在的设计方案,在有限的馈入和引出功率端口下,天线实现足够高的辐射功率,此外,现有离子回旋天线端口反射参数S11在0.7以上,如果采用分布式的行波天线能够大幅度的降低天线反射功率,实现反射参数低于0.4,对未来聚变实现商业发电有着巨大的潜在益处。
发明内容
为了解决磁约束领域几十兆赫兹频段天线低辐射效率难题,本发明基于行波天线高辐射效率的性质,提供一种分布式T型行波离子回旋天线结构,具有低反射、高辐射特点。
为了实现本发明的目的,采用的技术方案为:一种分布式T型行波离子回旋天线结构,包括:
环绕托卡马克内壁8一圈分布式离子回旋天线,每个天线有八个并列电流条带2,电流条带呈现T型结构,法拉第屏蔽1,箱体3,同轴线内导体4,同轴线外导体5,电容6和接地条带7。
进一步的,每个离子回旋天线馈入功率位置在第一个电流条带2的同轴传输线上,功率引出在第八个电流条带的同轴线内导体4上,第一和第八电流条带一端断路,另外一端接地,在电流条带中间通过同轴线内导体4馈入或者引出功率。
进一步的,中间六个电流条带2无直接馈入功率端,电流条带中间通过接地条带7接地,两端呈T字型,电流条带两端与U字型的电容6形成电路,功率从第一个电流条带馈入后,通过电流条带之间的互耦,依次从第二个电流条带传播到第八个电流条带。大部分功率在传播过程中辐射出去,仅有少量功率从第八个电流条带的同轴线返回传输系统。
进一步的,第一个电流条带馈入端口反射参数S11低于0.4。
本发明的优点是:
1、本发明的分布式T型行波离子回旋天线结构,具有良好的辐射性能,馈入端口反射参数S11低于0.4,低反射系数会降低传输系统最大电压,增加功率容量;
2、本发明的分布式T型行波离子回旋天线结构,不占用托卡马克水平窗口,仅有天线传输线布置在上窗口位置,天线与托卡马克第一壁集成。
3、本发明利用行波天线低电压、低反射功率系数的特点,在电流条带上设计电阻、电容来调节射频共振频率,能量在条带间互耦过程中被辐射出,与传统离子回旋天线相比,反射系数大幅度降低,保证了系统高效的功率辐射,本发明将有助于离子回旋加热系统在磁约束聚变中的应用。
附图说明
图1为本发明结构在托卡马克中的二维视图;
图2为本发明的第一和第八电流条带结构;
图3为本发明的中间六个电流条带结构;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院合肥物质科学研究院,未经中国科学院合肥物质科学研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110857115.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。