[发明专利]一种抗单粒子烧毁的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管

权利要求书

1.一种抗单粒子烧毁的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，自下而上包括：衬底(1)、缓冲层(2)、势垒层(3)和钝化层(5)，钝化层(5)两端设有源极(6)和漏极(7)，源极(6)的右侧设有p-GaN层(4)，该p-GaN层(4)与源极(6)之间留有1～5μm的间距，p-GaN层(4)上设有栅极(8)，栅极(8)上连接有栅场板(9)，其特征在于：

所述漏极(7)的左侧设有与漏极(7)相连的阶梯型漏极场板(10)，以提高p-GaN增强型HEMT器件的抗单粒子烧毁能力；

所述阶梯型漏极场板(10)的阶梯数目m为1～10个，每个阶梯的宽度t_i为0.1～1μm，每个阶梯的底边宽度为s_i，且s_i≤t_i，1≤i≤m，每个阶梯的厚度为d_i，且满足关系d_i-d_i+1＝h_i，其中第一个阶梯的厚度d₁为50～400nm，第一个阶梯底边与势垒层(3)之间的间距h₁为10～100nm，相邻两个阶梯的厚度差h_i为10～100nm，每个阶梯左下角的角度a_i为90°～170°。

2.根据权利要求书1所述的晶体管，其特征在于：衬底(1)采用蓝宝石、SiC、GaN或Si中的任意一种。

3.根据权利要求书1所述的晶体管，其特征在于：缓冲层(2)采用GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InAlN中的任意一种，其厚度为1～10μm。

4.根据权利要求书1所述的晶体管，其特征在于：势垒层(3)采用GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InAlN中的任意一种，其厚度为5～100nm。

5.根据权利要求书1所述的晶体管，其特征在于：钝化层(5)采用SiN_x、Al₂O₃、AlN、SiO₂、HfO₂、ScO₂、TiO₂、ZrO₂中的任意一种，其厚度为100～500nm。