[发明专利]一种耐高压稳压集成电路

权利要求书

1.一种耐高压稳压集成电路，其特征在于，包括输入模块、稳压模块和启动模块；所述输入模块的输出端分别与稳压模块和启动模块相连，所述稳压模块的反馈端与启动模块的输出端相连，所述稳压模块连接外部电源；所述输入模块的输入端为耐高压稳压集成电路的输入端，所述稳压模块的输出端为耐高压稳压集成电路的输出端；

所述输入模块，用于将外部电压转换为稳压模块和启动模块允许的电压值；

所述稳压模块，用于进行稳压，并对外提供稳定的电压；

所述启动模块，用于在耐高压稳压集成电路上电时向稳压模块提供工作电流；

所述稳压模块包括mos管PH1，所述mos管PH1的源极分别连接mos管PH1的衬底、输入模块的输出端、mos管PH2的源极、mos管PH2的衬底和mos管NH0的漏极；所述mos管PH1的栅极分别连接mos管PH1的漏极、mos管PH2的栅极、mos管NH1的漏极和启动模块；

所述mos管NH1的衬底接地，mos管NH1的栅极分别连接电阻R1的一端、mos管P4的漏极和mos管NH2的栅极；所述mos管NH2的衬底接地，mos管NH2的漏极分别连接mos管PH2的漏极、有极性电容C0的正极和mos管NH0的栅极；所述mos管NH0的漏极连接输入模块的输出端，mos管NH0的源极分别连接mos管NH0的衬底、有极性电容C1的正极和电阻R2的一端并作为稳压模块的输出端；所述电阻R2的另一端连接电阻R3的一端并作为稳压模块的反馈端；所述电阻R3的另一端分别连接接地电阻R4和mos管P6的栅极；所述有极性电容C0的负极接地，有极性电容C1的负极接地；

所述mos管P6的漏极分别连接mos管NH2的源极和mos管N3的漏极；mos管P6的衬底分别连接mos管P5的衬底、mos管P2的衬底、mos管P1的源极、mos管P1的衬底和外部电源；mos管P6的源极分别连接mos管P5的源极和mos管P2的漏极；

所述mos管P5的栅极连接参考电压，mos管P5的漏极分别连接mos管NH1的源极和mos管N2的漏极；所述mos管N2的源极连接mos管N2的衬底并接地；mos管N2的栅极分别连接mos管N1的栅极、mos管N1的漏极、电阻R1的另一端和mos管N3的栅极；所述mos管N1的源极连接mos管N1的衬底并接地；所述mos管N3的源极连接mos管N3的衬底并接地；

所述mos管P4的衬底分别连接mos管P3的衬底、mos管P3的源极和外部电源；mos管P4的源极连接mos管P3的漏极；所述mos管P4的栅极、mos管P3的栅极、mos管P2的栅极和mos管P1的栅极分别连接偏置电流。

2.根据权利要求1所述的耐高压稳压集成电路，其特征在于，所述输入模块包括高压jfet器件，所述高压jfet器件的漏极为输入模块的输入端，所述高压jfet器件的栅极和衬底均接地，所述高压jfet器件的源极为输入模块的输出端。

3.根据权利要求1所述的耐高压稳压集成电路，其特征在于，所述启动模块包括电阻R5，所述电阻R5的一端与输入模块的输出端相连，所述电阻R5的另一端分别连接mos管NH3的栅极、mos管N5的漏极、mos管N5的栅极和mos管N4的漏极；所述mos管NH3的源极连接mos管NH3的衬底并接地；mos管NH3的漏极与mos管PH1的漏极相连；mos管N5的源极连接mos管N5的衬底并接地；mos管N4的源极连接mos管N4的衬底并接地，mos管N4的栅极为启动模块的输出端连接于电阻R2和电阻R3之间。