[发明专利]显示面板、电子设备和显示面板的制作方法在审
| 申请号: | 202110853198.8 | 申请日: | 2021-07-27 |
| 公开(公告)号: | CN113644097A | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
| 发明(设计)人: | 张九占;张露;胡思明 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 吴迪 |
| 地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 电子设备 制作方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板(100),包括封装区(110);
第一走线层(200),设置于所述基板(100),并位于所述封装区(110);以及
第一保护层(410),覆盖于所述第一走线层(200)的侧壁,所述第一走线层(200)的侧壁所在的平面与所述基板(100)所在的平面交叉。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述基板(100)还包括显示区(130)和过渡区(120),所述显示区(130)和所述封装区(110)间隔设置,所述过渡区(120)位于所述显示区(130)和所述封装区(110)之间,所述显示面板(10)还包括:
第二走线层(300),设置于所述基板(100),并位于所述过渡区(120),所述第二走线层(300)和所述第一走线层(200)间隔设置;以及
第二保护层(420),覆盖于所述第二走线层(300)的侧壁,所述第二走线层(300)的侧壁所在的平面与所述基板(100)所在的平面交叉,所述第二走线层(300)的侧壁与所述第一走线层(200)的侧壁相对设置。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
玻璃粉封装结构(500),设置于所述封装区(110);
所述第一走线层(200)包括依次层叠设置的第一膜层(210)、第二膜层(220)和第三膜层(230),所述玻璃粉封装结构(500)覆盖于所述第一膜层(210)、所述第二膜层(220)和所述第三膜层(230),形成所述玻璃封装结构的激光烧结温度高于所述第二膜层(220)的熔点温度,且低于所述第一膜层(210)和所述第三膜层(230)的熔点温度;
所述第一膜层(210)的侧壁、所述第二膜层(220)的侧壁和所述第三膜层(230)的侧壁所在的平面与所述基板(100)所在的平面交叉,所述第一保护层(410)覆盖于所述第一膜层(210)的侧壁、所述第二膜层(220)的侧壁和所述第三膜层(230)的侧壁。
4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第二膜层(220)包括铝,所述第一保护层(410)包括氧化铝。
5.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,由所述第一走线层(200)远离所述基板(100)的表面的方向到所述第一走线层(200)靠近所述基板(100)的表面的方向,所述第一保护层(410)的横截面积逐渐增大。
6.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一保护层(410)为三棱柱结构,所述三棱柱结构的一个侧面与所述第一走线层(200)的侧壁贴合,所述三棱柱结构的另一个侧面与所述基板(100)所在的平面的夹角为40°到80°。
7.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求1-6任一项所述的显示面板(10)。
8.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供基板(100),所述基板(100)包括封装区(110);
在所述封装区(110)形成第一走线层(200);
在所述第一走线层(200)的侧壁形成第一保护层(410),所述第一走线层(200)的侧壁所在的平面与所述基板(100)所在的平面交叉;
在所述第一走线层(200)的远离所述基板(100)的表面形成封装结构。
9.如权利要求8所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述第一走线层(200)包括依次层叠设置的第一膜层(210)、第二膜层(220)和第三膜层(230),所述第二膜层(220)包括铝,所述在所述第一走线层(200)的侧壁形成第一保护层(410),所述第一走线层(200)的侧壁所在的平面与所述基板(100)所在的平面交叉包括:
通过臭氧水洗工艺对所述第一走线层(200)处理形成所述第一保护层(410)。
10.如权利要求8所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述第一走线层(200)包括依次层叠设置的第一膜层(210)、第二膜层(220)和第三膜层(230),所述第二膜层(220)包括铝,所述在所述第一走线层(200)的侧壁形成第一保护层(410),所述第一走线层(200)的侧壁所在的平面与所述基板(100)所在的平面交叉包括:
通过氧气等离子体工艺对所述第一走线层(200)处理形成所述第一保护层(410)。
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