[发明专利]晶圆级封装方法及晶圆级封装结构

权利要求书

1.一种晶圆级封装方法，其特征在于，包括：

提供边缘区域中形成有第一金属密封圈的下层晶圆以及边缘区域中形成有第二金属密封圈的上层晶圆；

将所述第一金属密封圈与所述第二金属密封圈进行金属键合，以使得所述上层晶圆和所述下层晶圆形成晶圆级封装结构，且所述金属键合后，所述第二金属密封圈暴露出所述第一金属密封圈的1mm以上宽度的内边缘；

在与所述第二金属密封圈的内边缘相距要求距离的位置，对所述晶圆级封装结构中的上层晶圆进行切边；

对切边后的所述晶圆级封装结构进行划片，以获得相应的若干芯片。

2.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述上层晶圆的边缘区域为外低内高的台阶结构，在将所述第一金属密封圈与所述第二金属密封圈进行金属键合之后，所述台阶结构使得所述第二金属密封圈的外边缘与所述第一金属密封圈的外边缘之间具有缝隙，且所述要求距离使得对所述晶圆级封装结构中的上层晶圆进行切边时能切除所述缝隙。

3.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述下层晶圆和所述上层晶圆均具有被边缘区域所围的内部区域，对所述晶圆级封装结构中的上层晶圆进行切边之后，剩余的键合在一起的所述第一金属密封圈和所述第二金属密封圈保持所述下层晶圆和所述上层晶圆的内部区域的密封。

4.如权利要求3所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述下层晶圆的内部区域中还形成有第一金属键合垫，所述上层晶圆内部区域中还形成有第二金属键合垫，在将所述第一金属密封圈与所述第二金属密封圈进行金属键合的同时，还将所述第二金属键合垫与所述第一金属键合垫进行金属键合。

5.如权利要求3所述的晶圆级封装方法，其特征在于，将所述第二金属键合垫与所述第一金属键合垫进行金属键合之后，所述上层晶圆和所述下层晶圆的内部区域之间形成位于所述第二金属键合垫与所述第一金属键合垫的内边缘以内的空腔。

6.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在将所述第一金属密封圈与所述第二金属密封圈进行金属键合之后，且在对所述晶圆级封装结构中的上层晶圆进行切边之前或之后，还对所述上层晶圆背向所述下层晶圆的一面进行减薄。

7.如权利要求1-6中任一项所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述要求距离为0.3mm～0.5mm。

8.一种晶圆级封装结构，其特征在于，包括：

下层晶圆，所述下层晶圆的边缘区域中形成有第一金属密封圈；

上层晶圆，所述上层晶圆的边缘区域中形成有第二金属密封圈，所述上层晶圆的外边缘、所述第一金属密封圈的外边缘均与所述第二金属密封圈的外边缘对齐，所述第一金属密封圈与所述第二金属密封圈键合在一起，且所述第二金属密封圈暴露出所述第一金属密封圈的1mm以上宽度的内边缘；

其中，所述晶圆级封装结构在所述第二金属密封圈的内边缘以内的区域中形成有若干个需要通过划片来分离的芯片。

9.如权利要求8所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述下层晶圆和所述上层晶圆均具有被边缘区域所围的内部区域，所述下层晶圆的内部区域中还形成有第一金属键合垫，所述上层晶圆内部区域中还形成有第二金属键合垫，所述第二金属键合垫与所述第一金属键合垫键合在一起，且所述上层晶圆和所述下层晶圆的内部区域之间形成位于所述第二金属键合垫与所述第一金属键合垫的内边缘以内的空腔。

10.如权利要求8所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述第二金属密封圈的宽度为0.3mm～0.5mm。