[发明专利]基座偏压调节装置和方法、半导体工艺设备有效
申请号: | 202110849800.0 | 申请日: | 2021-07-27 |
公开(公告)号: | CN113604788B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 张超 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C14/54 | 分类号: | C23C14/54;C23C14/56;H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基座 偏压 调节 装置 方法 半导体 工艺设备 | ||
1.一种基座偏压调节装置,其特征在于,包括正偏压调节单元、负偏压调节单元和抗干扰单元,其中,
所述正偏压调节单元的第一端接地,所述正偏压调节单元的第二端与基座电连接,用于始终与所述基座保持电导通,并调节所述基座的偏压,且能够使所述基座产生正偏压;
所述负偏压调节单元的第一端接地,所述负偏压调节单元的第二端通过所述抗干扰单元与所述基座电连接,用于始终与所述基座保持电导通,并调节所述基座的偏压,且能够使所述基座产生负偏压;
所述抗干扰单元连接在所述负偏压调节单元与所述基座之间的电路上,用于抑制所述正偏压调节单元与所述基座之间的电路中的电流流入所述负偏压调节单元与所述基座之间的电路中,以实现所述正偏压调节单元和所述负偏压调节单元在工艺过程中同时使用。
2.根据权利要求1所述的基座偏压调节装置,其特征在于,所述正偏压调节单元包括阻抗可变电路,所述阻抗可变电路的一端与所述基座电连接,所述阻抗可变电路的另一端接地,所述阻抗可变电路用于通过调节所述阻抗可变电路的阻抗大小,来调节所述基座的偏压大小。
3.根据权利要求2所述的基座偏压调节装置,其特征在于,所述阻抗可变电路包括至少一个第一可变电容;或者至少一个可变电感;或者电性连接的至少一个第一可变电容和至少一个可变电感,所述至少一个第一可变电容和至少一个可变电感采用的电性连接方式包括并联、串联或者混联。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的基座偏压调节装置,其特征在于,所述抗干扰单元包括带阻滤波器或者数字滤波器。
5.根据权利要求1-3任意一项所述的基座偏压调节装置,其特征在于,所述负偏压调节单元包括射频电源和连接在所述射频电源和所述基座之间的匹配电路。
6.根据权利要求5所述的基座偏压调节装置,其特征在于,所述匹配电路包括第一支路和第二支路,其中,所述第一支路的一端与所述射频电源的输出端电连接,所述第一支路的另一端接地,且在所述第一支路上设置有第二可变电容;
所述第二支路的两端分别与所述射频电源的输出端和所述基座电连接,且在所述第二支路上设置有第三可变电容;所述抗干扰单元连接在所述第二支路上。
7.根据权利要求5所述的基座偏压调节装置,其特征在于,所述匹配电路包括第一支路、第二支路、第三支路和第四支路,其中,所述第一支路的一端与所述射频电源的输出端电连接,所述第一支路的另一端接地,且在所述第一支路上设置有第二可变电容;
所述第二支路的两端分别与所述射频电源的输出端和所述第四支路的一端电连接,且在所述第二支路上设置有固定电容;
所述第三支路的一端与所述第四支路的一端电连接,所述第三支路的另一端接地,且在所述第三支路上设置有第三可变电容;
所述第四支路的另一端与所述基座电连接,所述抗干扰单元连接在所述第四支路上。
8.根据权利要求1-3任意一项所述的基座偏压调节装置,其特征在于,所述基座偏压调节装置还包括参数获取单元和控制单元,其中,所述参数获取单元用于实时获取所述正偏压调节单元的与阻抗相关的当前参数值,并将其发送至所述控制单元;
所述控制单元用于根据所述当前参数值和预设的参数设定值,控制所述正偏压调节单元调节所述基座的偏压,直至所述当前参数值等于所述参数设定值。
9.根据权利要求8所述的基座偏压调节装置,其特征在于,所述参数获取单元包括电压检测元件,所述电压检测元件用于实时检测所述基座的当前偏压值,并将其发送至所述控制单元;
所述控制单元用于根据所述当前偏压值和预设的偏压设定值,控制所述正偏压调节单元调节所述基座的偏压,直至所述当前偏压值等于所述偏压设定值。
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