[发明专利]一种Ga掺杂的水溶性InP量子点的制备方法

权利要求书

1.一种Ga掺杂的水溶性InP量子点的制备方法，其特征在于，在以卤化锌为催化剂的条件下，将磷源与铟源反应形成磷化铟核，然后掺入镓源以钝化磷化铟核内的缺陷，再加入锌源和硫源进行反应，从而在磷化铟核表面包覆一层ZnS外壳，离心清洗后将其溶解，最后加入等体积的巯基类有机酸进行反应，从而制备出所述Ga掺杂的水溶性InP量子点；

采用镓源进行钝化的温度为200℃-260℃，时间为2min-10min。

2.如权利要求1所述的Ga掺杂的水溶性InP量子点的制备方法，其特征在于，所用铟源与磷源的摩尔比为5:1；两者进行反应的温度为150℃-200℃，时间为20min-1h；

所述磷源为三(三甲基硅基)膦、三(二甲胺基)膦、三(二乙氨基)膦中的任意一种；

所述铟源为氯化铟、溴化铟、碘化铟、醋酸铟中的任意一种。

3.如权利要求1所述的Ga掺杂的水溶性InP量子点的制备方法，其特征在于，所用卤化锌的量为铟源摩尔量的4-6倍；

所述卤化锌为氯化锌、溴化锌、碘化锌中的任意一种或两种。

4.如权利要求1所述的Ga掺杂的水溶性InP量子点的制备方法，其特征在于，镓源的用量为铟源摩尔量的1/5；

所述镓源为氯化镓、碘化镓、溴化镓中的任意一种。

5.如权利要求1所述的Ga掺杂的水溶性InP量子点的制备方法，其特征在于，所用锌源和硫源的量均为铟源摩尔量的2倍；所述锌源为二水合乙酸锌、硬脂酸锌中的任意一种；所述硫源为硫粉、1-十二硫醇中的任意一种；

形成ZnS外壳的反应温度为260℃-300℃，反应时间为1h-2h。

6.如权利要求1所述的Ga掺杂的水溶性InP量子点的制备方法，其特征在于，清洗时所用清洗剂为醇类。

7.如权利要求1所述的Ga掺杂的水溶性InP量子点的制备方法，其特征在于，加入巯基类有机酸进行反应的温度为50℃-80℃，时间为2h-8h；

所述巯基类有机酸为巯基乙酸、巯基丙酸中的任意一种。