[发明专利]一种通过优化多晶硅刻蚀改善高K介质栅被腐蚀的方法

权利要求书

1.一种通过优化多晶硅刻蚀改善高K介质栅被腐蚀的方法，其特征在于，至少包括：

步骤一、提供位于基底上的栅极结构；所述栅极结构包括与所述基底直接接触的高K介质层以及位于所述高K介质层上的栅极叠层；所述栅极结构两侧的所述基底上设有栅氧层；并且所述栅氧化层的两侧端部紧贴所述栅极结构的所述高K介质层；

步骤二、形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述栅极结构及其两侧的所述栅氧层；

步骤三、刻蚀去除所述栅极结构两侧的所述栅氧层，将所述栅极结构中与所述基底直接接触的所述高K介质层的两侧端部暴露；

步骤四、形成覆盖所述栅极结构外表面的侧墙层；并且所述侧墙层由所述栅极结构外表面延伸至所述栅极结构两侧的所述基底的上表面；

步骤五、刻蚀去除所述栅极结构顶部以及位于所述栅极结构两侧的基底上表面的所述侧墙层，剩余的所述侧墙层在所述栅极结构的侧壁形成侧墙，并且所述栅极结构中与所述基底直接接触的所述高K介质层的两侧端部被所述侧墙覆盖。

2.根据权利要求1所述的通过优化多晶硅刻蚀改善高K介质栅被腐蚀的方法，其特征在于：步骤一中的所述栅极结构用于技术节点小于或等于28nm的器件。

3.根据权利要求1所述的通过优化多晶硅刻蚀改善高K介质栅被腐蚀的方法，其特征在于：步骤一中所述基底上还包括用于技术节点大于28nm的器件的栅极。

4.根据权利要求3所述的通过优化多晶硅刻蚀改善高K介质栅被腐蚀的方法，其特征在于：步骤一中所述用于技术节点大于28nm的器件的栅极，其两侧的基底上不存在高K介质层。

5.根据权利要求1所述的通过优化多晶硅刻蚀改善高K介质栅被腐蚀的方法，其特征在于：步骤一中的所述栅极叠层中包含多晶硅层。

6.根据权利要求1所述的通过优化多晶硅刻蚀改善高K介质栅被腐蚀的方法，其特征在于：步骤二中的所述阻挡层为光刻胶或BACK层。

7.根据权利要求1所述的通过优化多晶硅刻蚀改善高K介质栅被腐蚀的方法，其特征在于：步骤三中刻蚀去除所述栅氧层后去除所述阻挡层，将所述栅极结构暴露。

8.根据权利要求1所述的通过优化多晶硅刻蚀改善高K介质栅被腐蚀的方法，其特征在于：步骤三中通过光刻将所述阻挡层形成图形结构，利用该图形结构刻蚀去除所述栅极结构两侧的所述栅氧层。

9.根据权利要求1所述的通过优化多晶硅刻蚀改善高K介质栅被腐蚀的方法，其特征在于：步骤五中刻蚀去除所述栅极结构顶部及位于所述栅极结构两侧的所述基底上表面的所述侧墙层的刻蚀方法为湿法刻蚀。

10.根据权利要求1所述的通过优化多晶硅刻蚀改善高K介质栅被腐蚀的方法，其特征在于：步骤五中的所述湿法刻蚀材料包括酸液。