[发明专利]一种带有消隐时间的电压检测电路有效

专利信息
申请号: 202110847282.9 申请日: 2021-07-27
公开(公告)号: CN113589005B 公开(公告)日: 2023-06-30
发明(设计)人: 李博 申请(专利权)人: 捷蒽迪电子科技(上海)有限公司
主分类号: G01R1/30 分类号: G01R1/30;G01R15/04;H03K17/28
代理公司: 国浩律师(南京)事务所 32284 代理人: 孟睿
地址: 201206 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 带有 时间 电压 检测 电路
【说明书】:

发明涉及一种带有消隐时间的电压检测电路。用于对反激式变压器的输出电压进行采样,包括整流电容、整流二极管、单向导通二极管、滤波电容以及消隐电路;所述整流电容一端连接至变压器副边绕组,另一端与所述整流二极管阴极连接;所述单向导通二极管的阳极连接至所述整流电容与整流二极管阴极的公共端;所述滤波电容一端连接所述单向导通二极管的阴极,另一端接地;所述消隐电路连接在所述整流二极管阳极与地之间,用于控制整流二极管在尖峰电压过后导通。本发明电路构成及控制逻辑简单可靠、控制精度高。

技术领域

本发明涉及一种带有消隐时间的电压检测电路。

背景技术

对于隔离型DC-DC数字电源,通常其位于副边的数字控制器需要检测原边绕组的输入电压。如图1所示,二极管D2和电容C2组成输出端整流电路,为负载R2供电。电阻R3及其后元器件组成电压检测电路。在辅助供电电源采用反激电路的情况下,可先通过由整流电容C3和整流二极管D5组成的整流电路对反激式变压器副边绕组的电压进行整流,然后分压后检测获得副边绕组的电压,最后根据绕组匝比计算获得原边的输入电压。电容C4作为输储能和滤波电容,单向导通二极管D4防止滤波电容C4影响整流电容C3。分压电阻R4和R5将滤波电容C4两端电压分压后提供给后端检测。

由于反激式变压器存在漏感,会产生尖峰电压,且漏感的值不可控,导致输出电压存在很大的误差,严重影响后端电压测量。因此,需要消除尖峰电压对后端电压采样值的影响。现有技术中,常见的消除尖峰电压影响的方法有以下两种:

第一,在电源输出端设置尖峰吸收电路吸收掉尖峰电压。如图2所示,在反激变压器副边绕组设置由电阻R8和电容C6组成的RC吸收电路,通过电阻R8和电容C6吸收漏感产生的尖峰电压。但是,完全依靠吸收电路吸收漏感产生的尖峰电压时,电容C6的电容值要足够大,流过电阻R8的电流随之增大,这样电阻R8的损耗就会非常大,这不仅影响整个电源效率,而且还会导致电阻R8甚至整个电源发热、高温,进一步引发电源稳定性、可靠性问题。

第二,在电源输出端设置消隐时间控制电路,跳过尖峰电压后再进行电压采样。如图3所示,将图1中的二极管D5替换为由PWM信号控制的PMOS管,有后端控制电路产生的PWM信号控制PMOS管的导通和关断。这样,在跳过尖峰电压后再导通PMOS管,然后进行电压采样。此时,如何判断是否已经跳过尖峰由后端控制电路决定,也即后端控制电路创建一个消隐时间,跳过尖峰电压后进行采样,这样就可以避免产生很大的损耗。由于后端控制电路既可以控制PMOS管的导通,也可以控制PMOS管的关断,通常称之为全控电路,即由全控电路产生消隐时间,跳过尖峰迪电压。全控电路产生消隐时间的优点是控制精准,缺点是控制电路复杂,需要增加产生PWM信号的复杂电路,还要判断尖峰跳过时间,进一步导致成本高。

发明内容

为了解决现有技术中的上述技术缺陷,本发明提出一种带有消隐时间的电压检测电路。

本发明提供的一种带有消隐时间的电压采样电路,用于对反激式变压器的输出电压进行采样,包括:整流电容C3、整流二极管D5、单向导通二极管D4、滤波电容C4以及消隐电路;所述整流电容C3一端连接至变压器副边绕组,另一端与所述整流二极管D5阴极连接;所述单向导通二极管D4的阳极连接至所述整流电容C3与整流二极管D5阴极的公共端;所述滤波电容C4一端连接所述单向导通二极管D4的阴极,另一端接地;所述消隐电路连接在所述整流二极管D5阳极与地之间,用于控制整流二极管D5在尖峰电压过后导通。

作为一种较佳的实施方式,所述消隐电路包括延时电容C5、第一电阻R6 、第二电阻R7、PNP三级管Q1;所述PNP三级管Q1集电极连接所述整流二极管D5的阳极;所述PNP三级管Q1的发射极接地; 所述延时电容C5和第一电阻R6并联后连接在所述PNP三级管Q1的发射极与基极之间;所述第二电阻R7连接在所述PNP三级管Q1的基极与集电极之间。

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