[发明专利]一系列多层高熵结构化合物及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110843491.6 申请日: 2021-07-26
公开(公告)号: CN113387335B 公开(公告)日: 2022-10-18
发明(设计)人: 陈洪祥;黄舒贤;李升;戴品强;林智杰;洪春福;常发 申请(专利权)人: 福建工程学院
主分类号: C01B19/00 分类号: C01B19/00
代理公司: 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 代理人: 戴雨君
地址: 350000 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一系列 多层 结构 化合物 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.多层高熵结构化合物的制备方法,其特征在于,所述的多层高熵结构化合物分子式表达为(HEMB)x(HEMA)X2,HEMA、HEMB分别为两组高熵元素,HEMB为Fe、Co、Cr、Ni、Mn、V、Cu、Ag、Zn中的任意四种或四种以上金属元素的组合,元素比例为等比,HEMB中的元素总量为x,0x≤1,

HEMA为Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Re、Os、Rh、Ir、Au、Pd、Pt中的任意四种或四种以上金属元素的组合,其元素比例为等比或非等比,元素总量为1;

X为S、Se、Te元素中的一种或多种的组合;

所述制备方法包括以下步骤:

1)将HEMA粉末与X元素粉末并按照1:2的比例混合均匀;

2)将混合均匀的粉末,放入真空石英管中,对石英管抽真空后密封,在高温炉中进行烧结,烧结温度800-1300℃,保温20-36h后将石英管从炉中取出,淬火,得到单层高熵结构化合物(HEMA)X2

3)将HEMB粉末与上述(HEMA)X2在研钵中混合均匀得到粉体,然后将粉体装入石英管中,真空密封后在高温炉设备中进行二次煅烧,将温度升至500℃-1200℃,保温1-15天后,将石英管从高温炉设备中取出,淬火,得到多层高熵结构化合物(HEMB)x(HEMA)X2

2.根据权利要求1所述的多层高熵结构化合物的制备方法,其特征在于,步骤2)中,高温炉升温至800-1300℃的时间为200min-8h。

3.根据权利要求1所述的多层高熵结构化合物的制备方法,其特征在于,步骤2)和步骤3)中的猝火处理是将石英管放入水或冰水混合物中处理。

4.根据权利要求1所述的多层高熵结构化合物的制备方法,其特征在于,步骤3)中,HEMB原料为任意四种或四种以上金属单质粉末的机械混合物,或者已合金化的高熵合金粉末。

5.根据权利要求1所述的多层高熵结构化合物的制备方法,其特征在于,步骤3)中,二次煅烧时温度升至800℃,保温72h以上。

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