[发明专利]一种有机化合物、电致发光材料及其应用有效
| 申请号: | 202110843070.3 | 申请日: | 2021-07-26 |
| 公开(公告)号: | CN113402526B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
| 发明(设计)人: | 冉佺;高威;张磊 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司;武汉天马微电子有限公司上海分公司 |
| 主分类号: | C07D491/107 | 分类号: | C07D491/107;C07D493/10;C07D495/10;C07D519/00;C09K11/06;H10K85/00;H10K50/10 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 刘二艳 |
| 地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 有机化合物 电致发光 材料 及其 应用 | ||
本发明提供一种有机化合物、电致发光材料及其应用,所述有机化合物具有如式I所示结构,通过分子结构的设计,具有较深的LUMO能级,可以降低电子注入势垒,提高电子注入的能力;具有较深的HOMO,可以有效阻挡空穴,使更多的电子‑空穴复合在发光层;具备较高的三线态能级Esubgt;T1/subgt;,能够有效阻挡发光层激子,而且分子具有较扭曲的螺环结构,能够降低分子堆叠,避免结晶化,表现出优异的热稳定性和薄膜稳定性,利于提升器件的发光效率和寿命。所述有机化合物作为电致发光材料,尤其适用于OLED器件的电子传输层和/或空穴阻挡层等,能够降低器件的电压和功耗,提高发光效率,延长工作寿命,使OLED器件具有更好的综合性能。
技术领域
本发明属于有机电致发光材料技术领域,具体涉及一种有机化合物、电致发光材料及其应用。
背景技术
有机电致发光技术是目前光电领域中最具发展前景的新兴技术之一,相比于无机电致发光器件,有机电致发光器件(Organic Light Emitting Diode,OLED)具有自发光、功耗低、对比度高、色域广、柔性、可折叠等优势,吸引了科研工作者和企业研究人员的广泛关注,已在商业上成功应用,被广泛应用于柔性显示、平板显示和固态照明等多个行业。
OLED器件通常具有类三明治的叠层结构,包括阴极、阳极以及夹设于两个电极之间的多个有机膜层,有机膜层中包含发光层,以及电子传输层、空穴传输层、空穴注入层和电子注入层等其他辅助传输的功能层。当在OLED器件的两个电极之间施加电压时,阳极产生的空穴和阴极产生的电子被注入到发光层中,空穴和电子在发光层复合并产生激子(exciton),在从激发态转变为基态的同时,这些激子发光。由此可见,在OLED器件中,有机膜层的材料及其性能对于器件的发光性质具有十分重要的影响。
传统OLED器件中使用的电子传输材料是8-羟基喹啉铝(Alq3),但Alq3的电子迁移率比较低(大约为10-6cm2/Vs),使得器件的电子传输与空穴传输不均衡。随着电发光器件产品化和实用化,人们希望得到传输效率更高、使用性能更好的电子传输材料,在这一领域,研究人员做了大量的探索性工作。
WO2007011170A公开了一种咪唑衍生物及包含其的有机电子器件,所述咪唑衍生物具有萘并咪唑的骨架结构,并通过在骨架结构上连接不同类型的取代基,使分子表现出较强的p型或n型,能够用于电子传输、电子注入、空穴传输和空穴注入的材料中。CN101003508A公开的电子传输化合物和包含该化合物的有机发光器件中,设计了一系列芘基电子传输化合物,表现出良好的电子传输效率和沉积特征。柯达公司的US20060204784A和US20070048545A公开了混合电子传输材料的有机电致发光器件,所述混合电子传输材料由下列材料掺杂而成:(a)第一化合物,具有该层中最低的LUMO能级,(b)第二化合物,其LUMO能级高于第一化合物,且具有低的启亮电压;一种功函数小于4.2eV的金属材料。但是,上述电子传输材料具有平面分子结构,分子间引力大,不利于蒸镀和应用;而且,电子传输材料还存在迁移率偏低、能级匹配不好、热稳定性较差、使用寿命短、掺杂性等缺陷,限制了OLED显示器件的进一步发展。
随着OLED显示技术的进步,目前市场使用较多的电子传输材料包括红菲啰啉(batho-phenanthroline,BPhen,)、浴铜灵(bathocuproine,BCP,)和TmPyPB()等,上述电子传输材料大体上符合有机电致发光面板的市场需求,但它们的玻璃化转变温度较低,一般小于85℃,器件运行时,产生的焦耳热会导致分子的降解和分子结构的改变,使面板效率较低、热稳定性较差。同时,这种分子结构的对称性很规则,长时间使用后很容易结晶;一旦电子传输材料结晶,分子间的电荷跃迁机制与正常运作的非晶态薄膜机制就会产生差异,导致电子传输的性能降低,使得整个器件的电子和空穴迀移率失衡,激子形成效率大大降低,并且激子形成会集中在电子传输层与发光层的界面处,导致器件效率降低,寿命严重衰减。
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