[发明专利]一种过温保护电路

权利要求书

1.一种过温保护电路，其特征在于，包括电阻R23、电阻R21、三极管Q21、具有回滞功能的比较器、电压反馈环路模块，以及与电压反馈环路模块连接的第一电流镜；所述电阻R23的一端与电压反馈环路模块连接，电阻R23的另一端接地；所述电阻R21的一端和三极管Q21的发射极均与第一电流镜连接，电阻R21的另一端和三极管Q21的集电极均与电阻R23另一端连接后接地，且三极管Q21的基极还与三极管Q21的集电极连接；所述比较器的同相输入端连接于电阻R21与第一电流镜的公共连接端，比较器的反相输入端连接于三极管Q21与第一电流镜的公共连接端；

所述比较器的内部电路包括电流源I22、MOS管P26、MOS管P27、第二电流镜、第三电流镜、第四电流镜；所述电流源I22的一端分别与MOS管P26的源极、MOS管P27的源极连接，MOS管P26的漏极和MOS管P27的漏极分别与第二电流镜、第三电流镜连接，MOS管P26的栅极和MOS管P27的栅极分别用作比较器的反相输入端、同相输入端；所述第二电流镜和第三电流镜还均与第四电流镜连接，且第四电流镜还与电流源I22的另一端连接；所述第三电流镜与第四电流镜的公共连接端用作比较器的输出端；

所述第三电流镜包括MOS管N25、MOS管N26、MOS管N27、MOS管N28；所述MOS管N25的源极与MOS管N26的源极和MOS管N27的源极连接，MOS管N25的漏极与MOS管P27的漏极连接，MOS管N25的栅极与MOS管N26的栅极和MOS管N27的栅极连接；所述MOS管N28的栅极与MOS管N27的漏极连接后接入第四电流镜，MOS管N28的源极与MOS管N26的漏极连接，MOS管N28的漏极分别与MOS管N25的栅极，和MOS管N25的漏极连接；所述MOS管N25的源极还与第二电流镜连接。

2.根据权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，所述第二电流镜包括MOS管N23和MOS管N24；所述MOS管N23的漏极与第四电流镜连接，MOS管N23的栅极与MOS管N24的栅极连接，MOS管N23的源极与MOS管N24的源极连接后与MOS管N25的源极连接；所述MOS管N24的漏极与MOS管P26的漏极连接，且MOS管N24的漏极还连接于MOS管N24的栅极。

3.根据权利要求2所述的过温保护电路，其特征在于，所述第四电流镜包括MOS管P24和MOS管P25；所述MOS管P24的漏极分别与MOS管N23的漏极和MOS管P24的栅极连接，MOS管P24的栅极还与MOS管P25的栅极连接，MOS管P24的源极与电流源I22另一端连接；所述MOS管P25的漏极分别与MOS管N28的栅极，MOS管N27的漏极连接，MOS管P25的源极与电流源I22另一端连接。

4.根据权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，所述电压反馈环路模块包括运算放大器、MOS管N21；所述运算放大器的同相输入端用于接入基准电压，运算放大器的反相输入端分别与电阻R23和MOS管N21的源极连接，运算放大器的输出端与MOS管N21的栅极连接；所述MOS管N21的漏极与第一电流镜连接。

5.根据权利要求4所述的过温保护电路，其特征在于，所述第一电流镜包括MOS管P21、MOS管P22和MOS管P23；所述MOS管P21的源极与MOS管P22的源极和MOS管P23的源极相互连接，MOS管P21的漏极与MOS管N21的漏极连接，MOS管P21的栅极与MOS管P22的栅极连接；所述MOS管P22的漏极分别与电阻R21的一端和比较器的同相输入端连接；所述MOS管P23的栅极连接于MOS管P21的栅极，且MOS管P23的栅极还连接于MOS管P21与MOS管N21的公共连接端；所述MOS管P23的漏极分别与MOS管Q21的发射极、比较器的反相输入端连接。