[发明专利]MEMS芯片、耳机和电子设备

权利要求书

1.一种MEMS芯片，其特征在于，包括：超声换能单元和声音处理单元；

所述超声换能单元与所述声音处理单元并列设置；

所述声音处理单元为悬臂梁结构和锚定结构，且所述悬臂梁结构与所述超声换能单元间存在间隙；

所述锚定结构位于所述悬臂梁结构远离所述超声换能单元的一端；

所述声音处理单元为麦克风单元或扬声器单元。

2.根据权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述超声换能单元的长为600-1500um之间的任一尺寸；所述超声换能单元的宽为600-1500um之间的任一尺寸；

所述声音处理单元的长为600-1500um之间的任一尺寸；所述声音处理单元的宽为600-1500um之间的任一尺寸。

3.根据权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述MEMS芯片包括两个声音处理单元，分别为：第一声音处理单元和第二声音处理单元；

所述超声换能单元与所述第一声音处理单元沿第一方向并列设置；

所述超声换能单元与所述第二声音处理单元沿第一方向并列设置；

所述第一声音处理单元和所述第二声音处理单元沿第二方向并列设置，所述第一方向与所述第二方向的夹角大于预设角度。

4.根据权利要求3所述的MEMS芯片，其特征在于，所述第一声音处理单元的长为600-1500um之间的任一尺寸，所述第一声音处理单元的宽为300-800um之间的任一尺寸；

所述第二声音处理单元的长为600-1500um之间的任一尺寸，所述第二声音处理单元的宽为300-800um之间的任一尺寸；

所述超声换能单元的长为600-1500um之间的任一尺寸；所述超声换能单元的宽为600-1500um之间的任一尺寸。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的MEMS芯片，其特征在于，所述超声换能单元包括：第一支撑层、第一底电极、第一压电层和第一上电极；

所述第一底电极设置在所述第一支撑层与所述第一压电层之间，所述第一压电层设置在所述第一底电极和所述第一上电极之间；或者，

所述超声换能单元包括：基底、第三底电极、第三压电层、第一中电极、第四压电层、第三上电极；

所述第三底电极设置在所述基底与所述第三压电层之间，所述第三压电层设置在所述第三底电极与所述第一中电极之间，所述第一中电极设置在所述第三压电层与所述第四压电层之间，所述第四压电层设置在所述第一中电极与所述第三上电极之间。

6.根据权利要求5所述的MEMS芯片，其特征在于，所述声音处理单元的所述悬臂梁结构包括：第二支撑层、第二底电极、第二压电层和第二上电极；

所述第二底电极设置在所述第二支撑层与所述第二压电层之间；

所述第二压电层设置在所述第二底电极和所述第二上电极之间。

7.根据权利要求6所述的MEMS芯片，其特征在于，所述第一支撑层上形成有第一腔体；

所述第二支撑层、所述锚定结构形成第二腔体；

所述第一腔体的尺寸长度为600-1500um中任一尺寸，所述第一腔体的宽度为600-1500um任一尺寸；

所述第二腔体的长度为600-1500um中任一尺寸，所述第二腔体的宽度为600-1500um任一尺寸。

8.根据权利要求5所述的MEMS芯片，其特征在于，所述声音处理单元的所述悬臂梁结构包括：第四底电极、第五压电层、第二中电极、第六压电层、第四上电极；

所述第四底电极设置在所述锚定结构与所述第五压电层之间，所述第五压电层设置在所述第四底电极与所述第二中电极之间，所述第二中电极设置在所述第五压电层与所述第六压电层之间，所述第六压电层设置在所述第二中电极与所述第四上电极之间。

9.一种耳机，其特征在于，包括：权利要求1-8任意一项所述的MEMS芯片。

10.一种电子设备，其特征在于，包括：权利要求1-8任意一项所述的MEMS芯片。