[发明专利]一种5G毫米波介质谐振器天线及其阵列

权利要求书

1.一种5G毫米波介质谐振器天线，其特征在于，包括介质基板、金属地板、介质谐振器辐射体、至少两组馈电结构及去耦结构，所述介质基板包括相对的第一表面和第二表面，所述金属地板设于所述介质基板的第二表面，所述介质谐振器辐射体和所述馈电结构设于所述介质基板的第一表面，至少两组所述馈电结构形成正交的极化辐射；

所述去耦结构包括金属块及若干金属过孔，所述金属块设于所述介质基板与所述介质谐振器辐射体之间，若干所述金属过孔贯穿所述介质基板，将所述金属块与所述金属地板电连接，所述去耦结构用于提高所述极化辐射之间的隔离度。

2.根据权利要求1所述的5G毫米波介质谐振器天线，其特征在于，所述馈电结构采用同轴探针馈电、微带耦合馈电、共面波导馈电中的一种。

3.根据权利要求2所述的5G毫米波介质谐振器天线，其特征在于，所述馈电结构包括微带线、焊盘及馈电金属条，所述微带线设于所述介质基板的第一表面，且所述微带线自所述介质基板的边缘延伸至靠近所述介质谐振器辐射体处，所述焊盘与所述微带线靠近所述介质谐振器辐射体一端电连接，所述馈电金属条包括呈L形的水平方向金属条和竖直方向金属条，所述水平方向金属条焊接于所述焊盘的上端，所述竖直方向金属条贴于所述介质谐振器辐射体的侧面上，信号通过所述微带线传输至所述馈电金属条再耦合到所述介质谐振器辐射体，从而实现辐射。

4.根据权利要求3所述的5G毫米波介质谐振器天线，其特征在于，所述微带线上设有匹配枝节，所述匹配枝节与所述微带线呈十字形。

5.根据权利要求3所述的5G毫米波介质谐振器天线，其特征在于，还包括若干支撑结构，所述支撑结构包括呈L形的第一金属条和第二金属条，所述第一金属条焊接于所述介质基板的第一表面上，所述第二金属条贴于所述介质谐振器辐射体未配置有馈电结构的侧面上。

6.一种5G毫米波介质谐振器天线阵列，其特征在于，包括若干低频介质谐振器辐射体、若干高频介质谐振器辐射体、介质基板、金属地板、若干馈电结构及若干去耦结构，所述介质基板包括相对的第一表面和第二表面，所述低频介质谐振器辐射体和所述高频介质谐振器辐射体的材质选用介电常数大于等于5的材料，若干个低频介质谐振器辐射体及若干个高频介质谐振器辐射体交错排列于所述介质基板的第一表面，所述金属地板设于所述介质基板的第二表面，若干所述馈电结构设于所述介质基板的第一表面；

所述低频介质谐振器辐射体及所述高频介质谐振器辐射体均配置至少两组馈电结构及一组所述去耦结构，至少两组所述馈电结构形成正交的极化辐射；

所述去耦结构包括金属块及若干金属过孔，所述金属块设于所述介质基板与所述低频/所述高频介质谐振器辐射体之间，若干所述金属过孔贯穿所述介质基板，将所述金属块与所述金属地板电连接，所述去耦结构用于提高极化辐射之间的隔离度。

7.根据权利要求6所述的5G毫米波介质谐振器天线阵列，其特征在于，所述低频介质谐振器辐射体及所述高频介质谐振器辐射体采用90度旋转对称结构。

8.根据权利要求6所述的5G毫米波介质谐振器天线阵列，其特征在于，所述低频介质谐振器辐射体及所述高频介质谐振器辐射体采用90度旋转非对称结构。

9.根据权利要求6所述的5G毫米波介质谐振器天线阵列，其特征在于，所述馈电结构采用同轴探针馈电、微带耦合馈电、共面波导馈电中的一种。