[发明专利]发光器件及制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种发光器件，其特征在于，包括：

相对设置的第一电极和第二电极，所述第二电极包括第一表面，所述第一表面具有第一区域和除了所述第一区域以外的第二区域，所述第二电极的第一表面为所述第二电极远离所述第一电极的表面中的至少一部分；

位于所述第二电极的第一表面上的成核抑制图案层，所述成核抑制图案层覆盖所述第二电极的第一表面的第一区域，且包括间隔分布的多个成核抑制微图案；

位于所述第二电极的第一表面上的金属图案层，所述金属图案层覆盖所述第二电极的第一表面的第二区域，且露出所述成核抑制微图案的至少一部分；其中，

至少一个成核抑制微图案为点状图案；所述多个成核抑制微图案中，至少两个成核抑制微图案为大小不同的点状图案。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，

所述金属图案层为金属光栅。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，

所述成核抑制图案层包括有机分子，所述有机分子包括一核心部分以及键结至所述核心部分的一终端部分，且所述终端部分包括联苯基部分、苯基部分、芴部分或伸苯基部分。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，

所述成核抑制图案层是透明的。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，

所述金属图案层包括镁。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，还包括：

位于所述金属图案层和所述成核抑制图案层远离所述第一电极一侧的光耦合层。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，

所述金属图案层的厚度大于或等于5nm且小于或等于10nm。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，

所述金属图案层的厚度大于或等于所述成核抑制图案层的厚度。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述金属图案层具有间隔分布的微开口；所述成核抑制微图案设置在所述微开口中。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1~9任一项所述的发光器件。

11.一种发光器件的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上制作第一电极；

在带有所述第一电极的衬底基板上制作第二电极，所述第一电极和所述第二电极相对设置，所述第二电极包括第一表面，所述第一表面具有第一区域和除了所述第一区域以外的第二区域，所述第二电极的第一表面为所述第二电极远离所述第一电极的表面中的至少一部分；

在所述第二电极的第一表面上制作成核抑制图案层，所述成核抑制图案层覆盖所述第二电极的第一表面的第一区域，且包括间隔分布的多个成核抑制微图案；

在带有所述成核抑制图案层的第二电极上沉积金属图案层，所述金属图案层覆盖所述第二电极的第二区域，且露出所述成核抑制微图案的至少一部分；其中，至少一个成核抑制微图案为点状图案；所述多个成核抑制微图案中，至少两个成核抑制微图案为大小不同的点状图案。

12.根据权利要求11所述的发光器件的制作方法，其特征在于，

在所述第二电极上制作成核抑制图案层包括：

提供掩膜板，所述掩膜板具有开口区和遮挡区，所述开口区对应所述第二电极的第一表面的第一区域，所述遮挡区对应所述第二电极的第一表面的第二区域；通过所述掩膜板的所述开口区，向第一表面的第一区域沉积成核抑制材料，以形成成核抑制图案层，所述成核抑制图案层包括间隔排列的多个条形图案；

或者，

向第一表面沉积成核抑制材料，使得所述成核抑制材料随机落在所述第一表面上，所述第一表面被所述成核抑制材料覆盖的区域为所述第一区域。

13.根据权利要求11所述的发光器件的制作方法，其特征在于，还包括：

去除所述成核抑制图案层中被所述金属图案层露出的部分。