[发明专利]一种超声波扫查仪高质量成像装置及其工作方法

权利要求书

1.一种超声波扫查仪高质量成像装置，其特征在于，包括：水箱、超声波查扫机构、承载台、供水机构、至少一液位检测机构、至少一排水机构和至少一电阻率检测头，所述水箱内存储有去离子水，所述供水机构与所述水箱的内部连通，所述供水机构用于向所述水箱内注入去离子水，所述液位检测机构安装于所述水箱内，所述液位检测机构用于检测所述水箱内的液面高度，所述排水机构与所述水箱的内部连通，所述排水机构内设置有所述电阻率检测头，所述承载台设置于所述水箱内，所述承载台上承载有待检测的芯片，所述超声波查扫机构的检测端伸入所述水箱内，所述超声波查扫机构用于对所述芯片进行检测。

2.根据权利要求1所述的超声波扫查仪高质量成像装置，其特征在于，还包括：控制主机和报警装置，所述控制主机设置于所述水箱的一侧，所述报警装置安装于所述控制主机上，所述报警装置、所述供水机构、所述排水机构、所述电阻率检测头和所述液位检测机构均与所述控制主机通信连接。

3.根据权利要求1所述的超声波扫查仪高质量成像装置，其特征在于，所述超声波查扫机构包括：移动架、X-Y双向移动机构和上超声波探头，所述X-Y双向移动机构的固定端固定安装于所述水箱的外侧，所述X-Y双向移动机构的移动端与所述移动架固定连接，所述X-Y双向移动机构用于驱动所述移动架移动至水平面上的任意一处，所述上超声波探头安装于所述移动架上，所述上超声波探头的检测端竖直向下设置，所述上超声波探头的检测端伸入至所述水箱的液面以下，所述上超声波探头的检测端可操作地设置于所述芯片的上方。

4.根据权利要求3所述的超声波扫查仪高质量成像装置，其特征在于，所述超声波查扫机构还包括：下超声波探头，所述移动架呈C字型结构设置，所述上超声波探头固定安装于所述移动架的上部，所述下超声波探头设置于所述移动架的下部，所述下超声波探头的检测端竖直向上设置且正对所述上超声波探头的检测端，所述上超声波探头的检测端与所述下超声波探头的检测端之间间隔有一定距离，所述下超声波探头可操作地设置于所述芯片的正下方。

5.根据权利要求1所述的超声波扫查仪高质量成像装置，其特征在于，所述供水机构包括：储水罐、出水管、供水泵和注入管，所述储水罐内存储有去离子水，所述储水罐与所述出水管连接，所述出水管与所述供水泵连接，所述供水泵与所述注入管连接，所述注入管与所述水箱内连通。

6.根据权利要求1所述的超声波扫查仪高质量成像装置，其特征在于，所述液位检测机构包括：容置筒、上液位传感器和下液位传感器，所述容置筒呈圆筒形结构，所述容置筒的轴线沿竖直方向设置，所述容置筒的下部向下延伸形成有一缩口管，所述容置筒伸入所述水箱设置，所述缩口管的内径小于所述容置筒的内径，所述上液位传感器设置于所述容置筒的内侧的上部，所述下液位传感器设置于所述容置筒的内侧的下部。

7.根据权利要求6所述的超声波扫查仪高质量成像装置，其特征在于，所述水箱呈矩形体结构，所述液位检测机构的数量为四个，四所述液位检测机构分别设置于所述水箱的四角处，且还包括：四安装件，所述所述安装件均固定与所述水箱的内壁上，每一所述安装件均与一所述容置筒的外壁相连接。

8.根据权利要求1所述的超声波扫查仪高质量成像装置，其特征在于，所述排水机构包括：废水槽、排水主管、若干第一排水支管、若干上电磁阀和若干下电磁阀，所述排水主管与所述废水槽连接，每一所述第一排水支管的上端均通过一所述上电磁阀与所述水箱的底部连接设置，每一所述第一排水支管的下端均通过一所述下电磁阀与所述排水主管连接，每一所述第一排水支管均沿竖直方向设置，每一所述排水支管的下部均设置有一所述电阻率检测头。

9.根据权利要求8所述的超声波扫查仪高质量成像装置，其特征在于，所述排水机构还包括：若干第二排水支管，所述第二排水支管的上端通过一所述上电磁阀与所述水箱的中部连接，所述第二排水支管的下端通过一所述下电磁阀与所述排水主管连接；其中，所述第二排水支撑呈倒立的L形结构，所述第二排水支管的下部设置有一所述电阻率检测头。

10.一种超声波扫查仪高质量成像装置的工作方法，包括上述权利要求1至9中任意一项所述的超声波扫查仪高质量成像装置，其特征在于，还包括：扫查控制系统，所述超声波扫查机构、所述供水机构、所述液位检测机构、所述排水机构和所述电阻率检测头均与所述扫查控制系统通信连接，具体包括如下步骤：

步骤S1，所述扫查控制系统内预先设置第一液面阈值、第二液面阈值和标准电阻率值，其中所述第一液面阈值小于所述第二液面阈值；

步骤S2，放置所述芯片于所述承载台上，并启动所述扫查控制系统；

步骤S3，所述液位检测机构实时检测所述水箱内的液面高度，并获得液面实时高度值，所述液面实时高度值若小于等于所述第一液面阈值则进入步骤S4，所述液面实时高度若大于第一液面阈值且小于所述第二液面阈值则进入

步骤S5，所述液面实时高度大于等于所述第二液面阈值则进入步骤S6；

步骤S4，所述供水机构向所述水箱内注入第一单位体积的去离子水，并返回步骤S3；

步骤S5，所述排水机构从所述水箱内排出第二单位体积的去离子水，并进入步骤S7；

步骤S6，所述排水机构从所述水箱内排出第三单位体积的去离子水，并返回步骤S3；

步骤S7，通过所述电阻率检测头对所述第二单位体积的去离子水的电阻率进行检测，并获得检测电阻率值，若所述检测电阻率值小于所述标准电阻率值则进入步骤S8，若所述检测电阻率值大于等于所述标准电阻率值则进入步骤S9；

步骤S8，所述排水机构排出第四单位体积的去离子水，并进入步骤S10；

步骤S9，所述超声波查扫机构对所述芯片进行超声波扫描，并获得芯片的扫描结果，进入步骤S11；

步骤S10，所述供水机构注入第四单位体积的去离子水，并返回步骤S5；

步骤S11，取出芯片。