[发明专利]反应腔室及半导体工艺设备

权利要求书

1.一种反应腔室，用于磁控溅射工艺的半导体工艺设备中，其特征在于，包括：

腔室主体(100)；

基座(200)，所述基座(200)可旋转地设置于所述腔室主体(100)内，所述基座(200)用于承载晶片；

诱导磁组(300)，所述诱导磁组(300)设置于所述基座(200)外侧，且所述诱导磁组(300)与所述基座(200)同步旋转，用于在所述晶片上形成平行于所述晶片的诱导磁场；

所述诱导磁组(300)和所述基座(200)的自转速度与所述半导体工艺设备中的磁控装置(800)的旋转速度相同。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室还包括转接环(400)，所述转接环(400)固定于所述基座(200)上，所述诱导磁组(300)设置于所述转接环(400)的顶面上，所述诱导磁组(300)在所述晶片的上下两侧形成对称的所述诱导磁场。

3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述转接环(400)包括沉积环(410)和覆盖环(420)，所述沉积环(410)固定于所述基座(200)上，所述覆盖环(420)与所述沉积环(410)连接，所述诱导磁组(300)环绕设置于所述覆盖环(420)上。

4.根据权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，所述覆盖环(420)包括平行设置的第一环(421)和第二环(422)，以及连接于第一环(421)和第二环(422)之间的连接环(630)，所述第一环(421)和所述第二环(422)分别位于所述连接环(630)的相背的两侧；

所述第一环(421)和所述沉积环(410)叠置于所述基座(200)上，所述第二环(422)环绕所述基座(200)设置，所述第二环(422)相对所述基座(200)的顶面的高度低于所述第一环(421)相对于所述基座(200)的顶面的高度，所述诱导磁组(300)设置于所述第二环(422)上。

5.根据权利要求4所述的反应腔室，其特征在于，所述第一环(421)设有凸起结构(424)，所述沉积环(410)上设有凹槽结构(411)，所述凸起结构(424)嵌设于所述凹槽结构(411)中，以使所述沉积环(410)与所述覆盖环(420)相互连接。

6.根据权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，所述基座(200)的边缘区域设有凹陷槽(210)，所述凹陷槽(210)的底面设有固定孔，所述沉积环(410)通过相互配合的紧固件(500)和所述固定孔固定于所述凹陷槽(210)内。

7.根据权利要求4所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室还包括内衬组件(600)，所述内衬组件(600)的一端固定于所述腔室主体(100)的内侧，另一端延伸至所述连接环(423)和所述基座(200)之间的径向缝隙中。

8.根据权利要求7所述的反应腔室，其特征在于，所述内衬组件(600)包括下内衬(610)，所述下内衬(610)包括依次连接的外壁(611)、底壁(612)和内壁(613)，所述外壁(611)和所述内壁(613)垂直设置于所述底壁(612)的两侧，所述外壁(611)远离所述底壁(612)的一端与所述腔室主体(100)连接，所述底壁(612)位于所述第二环(422)的下方，所述内壁(613)位于所述径向缝隙中。

9.根据权利要求8所述的反应腔室，其特征在于，所述内衬组件(600)还包括：上内衬(620)，所述上内衬(620)的一端与所述腔室主体(100)连接，所述上内衬(620)至少部分向所述下内衬(610)的环绕区域延伸，且延伸至所述诱导磁组(300)上方的预定位置处。