[发明专利]电梯平衡系数检测设备在审
| 申请号: | 202110837283.5 | 申请日: | 2021-07-23 |
| 公开(公告)号: | CN113740087A | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
| 发明(设计)人: | 刘涛;李远斌;茅威杰;何斌;沈华强 | 申请(专利权)人: | 西尼机电(杭州)有限公司 |
| 主分类号: | G01M99/00 | 分类号: | G01M99/00;G01R21/00;G01R21/06 |
| 代理公司: | 浙江新篇律师事务所 33371 | 代理人: | 龚玉平 |
| 地址: | 311200 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电梯 平衡 系数 检测 设备 | ||
1.电梯平衡系数检测设备,包括前置放大处理电路、信号转换电路、检测输出电路,其特征在于:所述前置放大处理电路包括输入端口INa,输入端口INb,输出端口Va,双向钳位二极管D2,3个二极管分别为D1、D3、D4,4个电阻分别为R1、R3、R2、R4,4个电容分别为C1、C2、C3、C4,4个电感分别为L1、L2、L3、L4,14个功率场效应晶体管分别为Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12、Q13、Q14、Q15,所述前置放大处理电路中双向钳位二极管D2的一端与输入端口Ina连接,另一端与输入端口INb连接,电感L2的一端与输入端口Ina连接,另一端分别与电容C2的一端、电感L3的一端连接,电感L3的另一端与功率场效应晶体管Q4的漏端连接,电容C2的另一端分别与二极管D3的正极、电阻R4的一端、电感L4的一端连接,电阻R4的另一端与输入端口INb连接,电感L4的另一端接地,二极管D3的负极分别与功率场效应晶体管Q4的栅极、功率场效应晶体管Q10的栅极、功率场效应晶体管Q5的栅极、功率场效应晶体管Q11的栅极连接,功率场效应晶体管Q4的源端与功率场效应晶体管Q10的漏端连接,功率场效应晶体管Q10的源端接地。
2.根据权利要求1所述的电梯平衡系数检测设备,其特征在于:所述前置放大处理电路包括输入端口INa,输入端口INb,输出端口Va,双向钳位二极管D2,3个二极管分别为D1、D3、D4,4个电阻分别为R1、R3、R2、R4,4个电容分别为C1、C2、C3、C4,4个电感分别为L1、L2、L3、L4,14个功率场效应晶体管分别为Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12、Q13、Q14、Q15,所述前置放大处理电路中功率场效应晶体管Q4的漏端与高电平VCC连接,功率场效应晶体管Q5的漏端与高电平VCC连接,功率场效应晶体管Q5的源端与功率场效应晶体管Q11的漏端连接,功率场效应晶体管Q11的源端接地,电容C3的一端与功率场效应晶体管Q6的栅极连接,另一端与功率场效应晶体管Q9的栅极连接,功率场效应晶体管Q6的漏端与高电平VCC连接,功率场效应晶体管Q6的源端与功率场效应晶体管Q9的漏端连接,功率场效应晶体管Q9的源端接地,电感L1的一端与功率场效应晶体管Q9的漏端连接,另一端分别与功率场效应晶体管Q8的漏端、电容C1的一端连接,电容C1的另一端分别与电阻R2的一端、功率场效应晶体管Q8的源端连接,电阻R2的另一端接地。
3.根据权利要求1所述的电梯平衡系数检测设备,其特征在于:所述前置放大处理电路包括输入端口INa,输入端口INb,输出端口Va,双向钳位二极管D2,3个二极管分别为D1、D3、D4,4个电阻分别为R1、R3、R2、R4,4个电容分别为C1、C2、C3、C4,4个电感分别为L1、L2、L3、L4,14个功率场效应晶体管分别为Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12、Q13、Q14、Q15,所述前置放大处理电路中功率场效应晶体管Q1的漏端与高电平VCC连接,功率场效应晶体管Q1的源端与功率场效应晶体管Q8的漏端连接,二极管D1的负极与高电平VCC连接,二极管D1的正极分别与功率场效应晶体管Q12的栅极、功率场效应晶体管Q15的栅极、功率场效应晶体管Q3的源端、三极管Q7的基极、功率场效应晶体管Q14的漏端连接,功率场效应晶体管Q12的漏端分别与二极管D4的负极、功率场效应晶体管Q13的漏端、功率场效应晶体管Q2的源端、电阻R3的一端连接,电阻R3的另一端与三极管Q7的发射极连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西尼机电(杭州)有限公司,未经西尼机电(杭州)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110837283.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高硅难处理石煤钒矿的提钒方法及提钒装置
- 下一篇:一种大功率继电器





