[发明专利]减少交叉开关阵列电路中的潜电流通路

权利要求书

1.一种交叉开关阵列电路，包括：

第一晶体管，包括第一源极，第一漏极，和第一栅极；

第一电阻式随机存取存储器RRAM组件，连接至所述第一晶体管的第一源极；

第二晶体管，包括第二源极，第二漏极和第二栅极；

第二RRAM组件，连接至所述第二晶体管的第二源极；

字线，连接至所述第一晶体管的所述第一漏极和所述第二晶体管的所述第二漏极；

第一位线，连接至所述第一RRAM组件；

第二位线，连接至所述第二RRAM组件，其中所述第一晶体管的第一栅极被配置为连接至第一选通式电压源，所述第二栅极被配置为连接到第二选通式电压源。

2.如权利要求1所述的交叉开关阵列电路，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管制备于相同衬底。

3.如权利要求2所述的交叉开关阵列电路，所述衬底的材料包括硅，二氧化硅，氧化铟镓锌，氧化铟锡或玻璃。

4.如权利要求2所述的交叉开关阵列电路，其中所述第一源极和所述第二源极是在衬底上的同一有源区。

5.如权利要求4所述的交叉开关阵列电路，其中，所述第一漏极是衬底上的第一漏区，所述漏极是衬底上的第二漏区，其中，所述有源区，第一漏区或所述第二漏区是N型掺杂或P型掺杂。

6.如权利要求1所述的交叉开关阵列电路，其中第一RRAM组件包括第一底电极，制备于所述第一底电极上的第一RRAM氧化物，和制备于第一RRAM氧化物上的第一顶电极；第二RRAM组件包括第二底电极，制备于所述第二底电极上的第二RRAM氧化物，和制备于第二RRAM氧化物上的第二顶电极。

7.如权利要求6所述的交叉开关阵列电路，所述第一顶电极，第一底电极，第二顶电极或第二底电极的材料包括Pd,Pt,Ir,W,Ta,Hf,Nb,V,Ti,TiN,TaN,NbN或其组合，或者与其他导电材料的合金。

8.如权利要求6所述的交叉开关阵列电路，所述第一RRAM氧化物或第二RRAM氧化物的材料包括TaOx(其中x≤2.5)，HfOx(其中x≤2),TiOx(其中x≤2),或其组合。