[发明专利]显示面板、显示面板制备方法及显示装置在审
申请号: | 202110835267.2 | 申请日: | 2021-07-23 |
公开(公告)号: | CN113571563A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 郭志林;张振宇;张民;安磊;达仕勋;隋鑫 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 娜拉 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制备 方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示面板、显示面板制备方法及显示装置,显示面板具有第一显示区以及至少部分围绕第一显示区设置的第二显示区,第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率,显示面板包括:阵列基板;平坦化层,设于阵列基板一侧;像素定义层,设于平坦化层背离阵列基板一侧,在第一显示区,平坦化层和像素定义层中的至少一者具有向阵列基板所在方向凸出的聚光部。聚光部由平坦化层和像素定义层中的至少一者延伸形成,通过在第一显示区设置聚光部能够更大角度范围内的环境光进入第一显示区,以提高光学元件所能接收到的光量,即提高屏下光学元件的采光率,保证光学元件的工作需求。
技术领域
本发明属于电子产品技术领域,尤其涉及一种显示面板、显示面板制备方法及显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,人们对使用的电子产品不仅要求流畅的使用体验,而且对视觉体验的要求也越来越高,高屏占比成为目前研究的方向。而为了提升屏占比,实现全面屏,研究人员考虑屏下光学元件的实现方案。受到现有的显示装置结构限制,屏下光学元件的采光率不足,影响其正常工作。
因此,亟需一种新的显示面板、显示面板制备方法及显示装置。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示面板、显示面板制备方法及显示装置,通过在第一显示区设置聚光部能够更大角度范围内的环境光进入第一显示区,以提高光学元件所能接收到的光量,即提高屏下光学元件的采光率,保证光学元件的工作需求。
本发明实施例一方面提供了一种显示面板,具有第一显示区以及至少部分围绕所述第一显示区设置的第二显示区,所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率,所述显示面板包括:阵列基板;平坦化层,设于所述阵列基板一侧;像素定义层,设于所述平坦化层背离所述阵列基板一侧,在所述第一显示区,所述平坦化层和所述像素定义层中的至少一者具有向所述阵列基板所在方向凸出的聚光部。
根据本发明的一个方面,所述平坦化层包括沿所述显示面板的膜层堆叠方向层叠设置的第一平坦层和第二平坦层,所述聚光部由所述像素定义层向所述第一平坦层延伸,所述第一平坦层具有容纳所述聚光部的第一开槽,所述聚光部的折射率大于所述第一平坦层的折射率。
根据本发明的一个方面,所述平坦化层包括沿所述显示面板的膜层堆叠方向层叠设置的第一平坦层和第二平坦层,所述聚光部由所述像素定义层向所述第二平坦层延伸,所述聚光部贯穿所述第一平坦层并延伸至所述第二平坦层;所述第一平坦层具有供所述聚光部通过的通孔,所述第二平坦层具有容纳部分所述聚光部的第二开槽,所述聚光部的折射率均大于所述第一平坦层、所述第二平坦层的折射率。
根据本发明的一个方面,所述聚光部的折射率大于等于1.65,所述第一平坦层、所述第二平坦层的折射率小于等于1.6。
根据本发明的一个方面,所述平坦化层包括沿所述显示面板的膜层堆叠方向层叠设置的第一平坦层和第二平坦层,所述第二平坦层设于所述第一平坦层背离所述像素定义层一侧,所述聚光部由所述第一平坦层向所述第二平坦层延伸,所述第二平坦层具有容纳所述聚光部的第二开槽,所述聚光部的折射率大于所述第二平坦层的折射率。
根据本发明的一个方面,还包括阳极层,所述像素定义层包括多个像素开口,所述阳极层至少部分设于所述像素开口内,所述阳极层在在所述阵列基板上的正投影和所述聚光部在所述阵列基板上的正投影不重合。
根据本发明的一个方面,还包括走线,所述走线设置于所述第一平坦层、所述第二平坦层中的至少一层,且所述走线通过过孔和所述阳极层电连接,所述走线在所述阵列基板上的正投影和所述聚光部在所述阵列基板上的正投影不重合。
根据本发明的一个方面,还包括设于所述像素定义层背离所述阵列基板一侧的支撑部,所述支撑部与所述像素定义层、所述平坦化层中不具有所述聚光部的一者的材料相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的