[发明专利]一种高能离子注入后光刻胶的去除方法

权利要求书

1.一种高能离子注入后光刻胶的去除方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1：在70-120度的低温环境下注入O/F基的等离子体去除C富集的硬质层，或者注入O₂-N₂-H₂混合等离子体激活C富集层；

S2：注入N₂等离子体对步骤S1处理后的表面进行共型性处理，使得PR边缘更加光滑，有利于离子注入的线宽控制；

S3：利用湿法工艺去除PR本体。

2.根据权利要求1所述的一种高能离子注入后光刻胶的去除方法，其特征在于：步骤S1中，所述低温环境的压强为2-5Torr。

3.根据权利要求1所述的一种高能离子注入后光刻胶的去除方法，其特征在于：步骤S1中，所述O/F基的等离子体为O₂-CF₄混合等离子体或者O₂-N₂-H₂混合等离子体。

4.根据权利要求3所述的一种高能离子注入后光刻胶的去除方法，其特征在于：所述O₂-CF₄混合等离子体中，O₂的体积流量为200-1000sccm，CF₄的体积流量为10-50sccm。

5.根据权利要求3所述的一种高能离子注入后光刻胶的去除方法，其特征在于：所述O₂-N₂-H₂混合等离子体中，O₂等离子体的体积流量为50-200sccm，N₂-H₂等离子体的体积流量为1000sccm，其中H₂在N₂/H₂等离子体中占比低于5％，保证安全不爆炸，工艺时间为1-4min。

6.根据权利要求1所述的一种高能离子注入后光刻胶的去除方法，其特征在于：步骤S2中，N₂等离子体的体积流量为200-1000sccm，工艺时间为30sec-2min。

7.根据权利要求1所述的一种高能离子注入后光刻胶的去除方法，其特征在于：步骤S3中，采用硫酸或氨水为主要成分的化学溶液。