[发明专利]一种集成电路回收设备及回收方法在审

专利信息
申请号: 202110834160.6 申请日: 2021-07-20
公开(公告)号: CN113770151A 公开(公告)日: 2021-12-10
发明(设计)人: 余立富;吴德生;吕雪峰 申请(专利权)人: 信利光电股份有限公司
主分类号: B09B3/00 分类号: B09B3/00
代理公司: 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 代理人: 王欣
地址: 516600 广东省汕*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 集成电路 回收 设备 方法
【权利要求书】:

1.一种集成电路回收设备,其特征在于,包括:

金属块,所述金属块包括位于底壁上且内凹的吸附槽和设置在所述金属块中的通气孔,其中,所述通气孔的第一端贯穿所述吸附槽的槽底而第二端贯穿所述金属块的侧壁或顶壁,所述吸附槽容置所述集成电路;

加热部件,所述加热部件对所述金属块加热,加热后的所述金属块将热量传导至所述集成电路;

气泵,所述气泵通过气管与所述通气孔的第二端连接,其中,所述气泵在所述集成电路加热后通过所述通气孔吸起所述集成电路,使所述集成电路与安装其的部件分离,且所述气泵在吸气完成后对所述集成电路吹气,使所述集成电路与所述金属块分离。

2.根据权利要求1所述的集成电路回收设备,其特征在于,所述吸附槽的槽底设有与所述集成电路接触的隔热层,其中所述隔热层上设有连通所述吸附槽和所述通气孔的连通孔。

3.根据权利要求2所述的集成电路回收设备,其特征在于,垂直所述吸附槽的槽底方向,所述吸附槽的槽深与所述隔热层的厚度之比为2-3:1。

4.根据权利要求3所述的集成电路回收设备,其特征在于,所述隔热层的材质为硅胶或铁氟龙。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的集成电路回收设备,其特征在于,所述吸附槽位于所述金属块的底面中部。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的集成电路回收设备,其特征在于,所述通气孔的第二端贯穿所述金属块的顶壁且所述通气孔为沿所述金属块底壁至顶壁延伸的直孔。

7.根据权利要求6所述的集成电路回收设备,其特征在于,所述通气孔设有多个,多个所述通气孔排成一排且位于所述吸附槽的中心线位置。

8.根据权利要求7所述的集成电路回收设备,其特征在于,沿所述吸附槽的两端至中间方向,所述通气孔的孔径逐渐增大。

9.根据权利要求1-5中任一项所述的集成电路回收设备,其特征在于,所述金属块在加热后的温度为400~500℃。

10.一种根据权利要求1-9中任一项所述的集成电路回收设备回收集成电路的方法,其特征在于,包括步骤:

将所述金属块加热至设定温度;

将所述金属块的吸附槽扣设在所述集成电路上,通过所述金属块加热所述集成电路,对所述集成电路进行软化;

开启所述气泵,使所述气泵通过所述通气孔吸起所述集成电路,使所述集成电路与安装其的部件分离;

通过所述气泵对所述集成电路吹气,使所述集成电路与所述金属块分离;

用镊子从安装所述集成电路的部件上取下所述集成电路。

11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述金属块的加热温度为400~500℃。

12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述集成电路的加热时间为10~50秒。

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