[发明专利]温度监测方法在审
| 申请号： | 202110834111.2 | 申请日： | 2021-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN113571398A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 黄家明 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/244 | 分类号： | H01J37/244;H01J37/317;H01J37/32;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 罗磊 |
| 地址： | 510000 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 温度 监测 方法 | ||
1.一种温度监测方法，用于监测离子注入机台的晶圆托盘的温度，其特征在于，包括：
获取离子注入机台正常工作情况下，用于所述晶圆托盘冷却的制冷机设置的第一温度范围；
在所述第一温度范围内，调节所述制冷机的温度至至少两个温度节点，以在不同的所述温度节点下分别对不同样本晶圆进行离子注入工艺，并以热波测量所述样本晶圆表面以获得所述样本晶圆的热波值，确定热波值的标准范围；
选取所述第一温度范围中一设定温度，在与所述样本晶圆相同的工艺参数的条件下，对测试晶圆进行离子注入工艺，并以热波测量所述测试晶圆表面以获得所述测试晶圆的热波值；
根据所述测试晶圆的热波值与所述热波值的标准范围的关系，判断所述晶圆托盘的温度是否异常。
2.如权利要求1所述的温度监测方法，其特征在于，在进行离子注入工艺之前，对所述样本晶圆和所述测试晶圆均进行快速热退火。
3.如权利要求2所述的温度监测方法，其特征在于，对所述样本晶圆和所述测试晶圆均进行快速热退火之后，进行离子注入工艺之前，还包括：
以热波测量所述样本晶圆和所述测试晶圆的表面以获得所述样本晶圆和所述测试晶圆的前值热波值；
根据所述样本晶圆和所述测试晶圆的前值热波值与一设定的前值热波值范围的关系，筛选出合格的所述样本晶圆和所述测试晶圆。
4.如权利要求2所述的温度监测方法，其特征在于，所述快速热退火的工艺温度为1050℃～1150℃，工艺时间为10s～30s，工艺气体包括氮气和氧气。
5.如权利要求3或4所述的温度监测方法，其特征在于，所述设定的前值热波值范围的包括600～700。
6.如权利要求1所述的温度监测方法，其特征在于，所述第一温度范围包括15℃～25℃，所述设定温度为20℃。
7.如权利要求1所述的温度监测方法，其特征在于，所述温度节点至少包括所述第一温度范围的最大值和最小值。
8.如权利要求1所述的温度监测方法，其特征在于，所述样本晶圆和所述测试晶圆均为P型晶圆。
9.如权利要求8所述的温度监测方法，其特征在于，所述离子注入工艺注入的离子包括硼离子。
10.如权利要求9所述的温度监测方法，其特征在于，所述工艺参数包括：注入能量为30KeV，注入剂量为6×1013。
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